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使用化学汽相沉横系统合成氧化矽奈米线的固一液一固棱制封谕／王志速等 ·35·
使用化挈汽相沉稹系统合成氧化矽奈米缝的固一液一固横制封输
王志速 詹立雄 萧速度 林天智 施漠章+
(清苹大单材料科单工程睾系，300塞湾省新竹市光後路二段101虢，中固塞游)
摘要 藉由分析髑媒及奈米残之结耩舆组成，详细探讨合成氧化矽奈米线的固一液一固成畏械制。舆一般化学汽
相沉横法不同的是，矽的来源直接由矽基板提供固惩矽源。首先在矽基板上溅镀上一厝很薄(～5nm)的白金髑媒屑。
在升温遏程中，白金薄膜合分裂形成直径属敷百奈米大小的蠲媒球。柿描式雹子颓微镜及穿透式鼋子颞微镜的分析结
果颗示，适些桶媒球的组成扁Pt。Si，并可作焉奈米绒成畏的孕核黠。在高速1100。C的制程温度及5h的持温之下，矽
基板氧化成篇氧化矽并藉由捩散溶解到髑煤球中，直到饱和黠而后析出成焉氧化矽的奈米绒。追些奈米线属非晶鳍
耩，直径焉40～60nm，畏度属敷百微米。
聃鳢匍 氧化矽奈米经圃一液一固成畏棱制 白金髑媒
Mechanismof ontheNanowireof
Solid--Liquid—-Solid
SiliconOxidesThermalCVD
by
WANG CHAN XIAO LINTienchihSHIH
Chihyuan LihhsiungDaqing Hanchang。
of and
MaterialsScience
(Department Engineering，NationalTsinghuaUniversity，
lOl FuRd．Section2，Hsinchu300，TaiwanChina)
Kuang
Abstract is indetail
The mechanismof SiO。nanowires
solid—liquid-solidgrowth synthesizing expressed
thestructureand ofthe andthenanowires．Thesiliconsourcefor
throughanalyzing compositioncatalysts growing
nanowireswas fromthesiliconwafer．Athin of first
directlyprovided catalystlayerplatinum(～5nm)wasdeposited
onthesiliconwafer film intodotswithdiameterabouthundredsofnanometers
collapsed
bysputtering．Theplatinum
thatthesedots into and
thethermal andTEM revealed
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