SIMOX+SOI材料红外光学以及电学性能的研究.pdf

摘要 摘要 被誉为“21世纪的硅集成电路技术”的SOl技术，由于SOl独特的结构特 性，而被广泛的应用在低压、低功耗电路、高温器件、抗辐照器件以及光电子 集成器件等微电子领域。SIMOX作为SOl技术的两种主流技术之一，已经进入 了商品化阶段。SIMOX的商品化标志着SOl技术已经进入了实际应用阶段。随 羞SIMOX商品化的发展昶深入，其质量控制目题和材料性能表征问题就显得尤 为重要。本论文针对SIMOX实际生产过程中出现的质量控制问题和材料性能表 征问题，从解决生产实际问题的目的出发，对原始注入的SIMOX红外光学特征、 Si层的电荷输运现象进行了系统的研究；并 SIMOX的电学性能和SI骈OX的Top 的漏电通道袭征方面进行了大胆的创新性尝试，首次把导电原子力显微镜 (c—AFM)方法弓I入到了S01表征领域。 本论文针对椭偏(SE)方法在SIMOX质量控制过程中出现的信息获得滞后 性问题展开了研究。采用透射电镜(TEM)、卢瑟福背散射能谱(RBS)和红外反 射谱(IR)等分析手段对原始注入的SIMOX结构和性能进行了分析，根据原始 注入的SIMOX材料的结构性质，结合多层介质膜光学理论，我们建立了原始注 原始注入的Sl艟OX的注入斋g量反应菲常敏感，即便注入剂量的微小交化也会僮 红终反射率上产生很大的变化。通过红外反射谱与注入剂量这种关系，可以准 确的确定原始注入的SIMOX实际注入剂量与设定注入剂量产生的偏差。研究表 明j对原始注入的SIMOX的红外反射诺的表征方法是一种准确的确定注入剂量 的方法，解决了椭偏方法对剂量控制的滞后性的矛盾，是一种有效的控制SIMOX 的BOX均匀性与注入剂量的质量控制方法。 针对SOl材料结构的特殊性，采用SIS结构电容模型和MOSOS结构电容模 型对SIMOX的电学性能进行了表征。采用SIS电容模型，可以对腐蚀掉表面热 氧化层的SIMOX样品进行电学性能测试，通过引入电荷耦合系数的方法把SIS 电容简化成类似于M。S电容结构的等效电路。和用以栅压为交量的表面势的表 达式可以得到全面的SIMOX的掺杂浓度、埋氧层厚度、固定氧化电荷和界面缺 TT 捅要 陷等电学参数。通过MOSOS电容模型可以直接对没有腐蚀掉表面热氧化层的 SIMOX样品进行电学性能测试。利用MOSOS电容模型，一样可以得到全面的SIMOX 的掺杂浓度、氧化层厚度、固定氧化电荷和界面缺陷等电学参数。研究表明， 通过SIS电容模型得到SIMOX的电学参数最为理想，与实际的数值更为接近。 而通过MOSOS电容模型可以得到SIS电容模型得不到～些信息，一样具有重要 的参考价值。可以通过对MOSOS电容模型得到的SIMOX的电学参数结果分析不 同的因素对SIMOX电学性能的影响。两种方法相互补充，在SIMOX电学性能测 试上都具有重要的实用意义。 针对由于高剂量、高能量、大柬流的氧离子注入产生的结构缺陷以及其他 工艺步骤所产生的沽污会在SIMOX的TopSi层引入能级缺陷的问题，采用变温 霍耳效应Hall Transient Effect)和深能级瞬态谱DLTS(Deep—Level Spectoscopy)等研究手段，对SIMOX的TopSi层的电荷输运现象进行了系统 x eV i01 Si层存在2．68 的研究。通过变温霍耳实验发现，在SIMOX样品的top 的浅能级。研究发现，在低温状态下。载流子在77—150K之间为弱电离，随温 度升高超过150K后基本完全电离。载流子浓度表现为随温度升高而升高，进入 电离阶段后，载流子浓度变化不大。载流子迁移率表现为随温度升高而降低。