980nm垂直腔面发射激光器的研制.pdf

第 卷增刊 半 导 体 学 报 *’ aD2*’ % D9196C ! ! ! ! ! GG 年 月 $ *++. ’ #8Q!%!M_e]Q$?_^%!=#_QNe#[_]% M69*++. FG4DC 垂直腔面发射激光器的研制# 郭 霞 董立闽 渠红伟 达小丽 杜金玉 邓 军 沈光地 ! ! ! ! ! ! ! ! # $ $ % 北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京市光电子技术实验室 北京 ,+++** ! ’ $ . ’ $ 摘要 采用低压金属有机化合物气相外延生长技术 应用 选择性湿氮氧化工艺实现光 电限制 制 $D$H$DX5$H 备出具有一定性能的 内腔接触式氧化物限制型顶发射 垂直腔面发射激光器# % 通过制备不 W-+61 W-+61 a#%!? 2 同氧化孔径尺寸的 分析了氧化孔径尺寸大小对器件的阈值电流和串联电阻的影响 获得的最小阈值电流 $ a#%!? 2 $ 为+b-1$ 最大光输出功率达 -1U2 关键词 垂直腔面发射激光器 内腔接触 湿氮氧化 ’ ( ( ) ( ) $% -,’+# (*.. !!$## *..+! ! ! ! 中图分类号’ 文献标识码’ 文章编号’ $ [Q*(- $ +*.0J(,))*++.%+J+,*WJ+0 ! ! ! ! ! ! 限制层 欧姆接触层和 用于电子光子限 X5$H ’ ’+61 引言 制的 构成 的光腔 通过理论计 $D X5 $H ,b. 2 ! +2W- +2+* ! $ $ 算 使得N\