GaN基材料及其外延生长技术研究.pdf

纳米材料与结构 NanomateriaIStructure GaN基材料及其外延生长技术研究 刘一兵1，2，黄新民L2，刘国华1’2 (1．湖南大学电气与信息工程学院，长沙410082； 2．邵阳职业技术学院机电工程系，湖南 邵阳422000) 材料的选择及缓冲层技术；分析得出目前存在的GaN体单晶技术不完善、外延成本高、衬底缺 陷及接触电阻大等主要问题制约了研究的进一步发展；指出今后的研究重点是完善GaN体单晶 材料的生长工艺，以利于深入研究GaN的物理特性及有效地解决衬底问题，研究缓冲层的材料、 厚度、组分等以提高GaN薄膜质量。 关键词：氮化镓；金属有机物化学气相淀积；分子束外延；氢化物气相外延；缓冲层 Materialsand ResearchforGaN．Based Growth Epitaxy Technologies Liu Xinminl’2LiuGuohual·2 Huang Yibin91·2 and ofElectricdInformationEn∥needng，HunanUnwenay，Chan伊ha410082，China；2．Departmentof f1．College and MechanicalElectrical 422000．China) Engineering，ShaoyangProfessional—TechnologyCollege，shaoyang basic ofGaN—based Abstract：The materials，three technologies properties mainlyepitaxygrowth materialsandbuffer areintroduced．The (MOCVD，MBE，HVPE)，substratelayers mainlyremaining arethe GaNbulk rate，moredefect， technology，highepitaxycost，lowyield problems faulty crystal contactresistanceandSO influencetheresearch furtherresearch large on，which progressdeeply．The focusisto GaNbulk methodfor GaN solve improve crystalgrowth studyingphysicalproperties，to substrate the and ofbuffer for problemseffectively，tostudy material，thicknesscompositionlayers GaNfilm improving quality．