离子注入.ppt

不同角度的影响 go athena #TITLE: Simple Boron Anneal #the x dimension definition line x loc = 0.0 spacing=0.1 line x loc = 0.1 spacing=0.1 #the vertical definition line y loc = 0 spacing = 0.02 line y loc = 2.0 spacing = 0.20 #initialize the mesh init silicon c.phos=1.0e14 #perform uniform boron implant implant boron dose=1e13 energy=70 tilt=0 unit.damage dam.factor=0.05 structure outfile=0.str remove.gas implant boron dose=1e13 energy=70 tilt=7 unit.damage dam.factor=0.05 structure outfile=7.str remove.gas implant boron dose=1e13 energy=70 tilt=10 unit.damage dam.factor=0.05 structure outfile=10.str remove.gas #plot the final profile tonyplot -overlay 0.str 7.str 10.str -set andfex.set quit Dose Dependence of P Implants 改变tilt的结果 离子注入 离子注入的发展历史 William shockley在1954年首先申请了离子注入专利 直到70年代后期，离子注入才用于制造业 离子注入的概念 一种非常精确的、向Si中掺入特定杂质原子剂量或数量的方法 可行的原因：离子的电荷可通过法拉第杯的收集而被计算 MOS工艺中，常用原子剂量1X1012~ 1X1016cm-2范围的杂质引入Si中，剂量甚至更低或更高。为了增加剂量，只需要更长的注入时间或更大的束流。 特点：剂量可精确的控制，但离子注入的过程是一个随机过程 高斯模型 Rp是垂直平均投影射程 ΔRp是投影射程的标准偏差或离散 Cp是高斯曲线中心的峰值浓度 ？？？离子注入的曲线并非完全对称 利用高斯函数的总和（或积分）是一个余误差函数的特性，根据余误差函数的公式有 单位面积上离子注入的总数量定义为剂量 这是剂量率与峰值浓度之间非常有用的关系式 离子注入模型和氧化模型对比 注入 氧化 具有标准偏差ΔRp的注入高斯分布，经过ΔRp=有效时间-温度扩散过程的初始delta函数分布具有相同的形式 泊松离子注入模型 f（x）是频率的函数，a，b1，b2是与f（x）函数有关的常数 可以获得纵向离子注入模型 还有双泊松模型。 Pearson distribution in the energy interval 10keV to 1MeV. 1keV~8MeV 泊松离子注入模型 θ是离子注入与y轴方向之间的夹角 φ是离子束与模拟平面之间的夹角 φ=0o， θ0o时，二者平行，方向v指向 φ=90o， θ0o时，二者垂直，方向u指向 相对于模拟平面而言，有效的离子注入角度为： 蒙特卡诺离子注入 离子注入损伤 间隙原子模型 空位模型 团簇模型 Dislocation Loops 退火的目的：去掉由注入产生的一次损伤，使晶格恢复至“完美”晶格状态，同时使杂质成为激活的替位杂质。 离子注入中常用的参数 离子注入的几何说明： α ：离子束注入面 ∑ ：表面 β ：模拟的平面 θ ：离子束方向与y轴方向的夹角 φ：离子束与模拟平面之间的夹角 离子注入中常用的参数 模型的选择参数说明： 离子注入模型选择 GAUSS, PEARSON, FULL.LAT, MONTECARLO, and BCA 离子注入步骤中Si晶格结构：CRYSTAL and AMORPHOUS，默认是CRYSTAL 参数说明： IMPURITY:注入的杂质种类 ENERGY：注入能量（KeV） DOSE：注入剂量，单位cm-2 TITLE：离子束注入的纵向角度，默认值是7o ROTATION：离子束与模拟平面之间的夹角，默认值是30o FULLROTATION：旋转样品 FULLDOSE：指定TITLE角度时，对注入剂量进行调整 离子注入中常用的参数 参数说明： PULL.ONE和DAM.FACTOR:注入引起的损伤计算 PRINT.MOM：输出所有离子或材料的动量 分析离子注入参数说明：