快速热处理辐照掺氮直拉单晶硅中氧沉淀红外吸收谱研究.pdfVIP

第26卷，第7期 光谱学与光谱分析 V01．26，No．7·pp41—42 2006年7月 and SpectroscopySpeetralAnalysis July，2006 快速热处理辐照掺氮直拉单晶硅中氧沉淀的红外吸收谱研究 陈贵锋1，刘丽丽1，李养贤“，李兴华1，蔡莉莉1，宋守丽2，李永章3，陈东风3 1．河：ltI业大学材料学院，天津300130 z．石药集团维生药业石家庄有限公司，河北石家序050035 3．中国原子能科学院，北京102413 摘要研究了快速热处理(RTP)对快中子辐照掺氟直拉硅中氧沉淀的作用，对不同辐照剂量的样品先进 h 行的不同温度和降温速率的RTPt再将其与没有经历RTP的样品故人单管扩散炉中进行1100℃高温20 一步退火，保护气