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倾斜离子注入对FinFET器件亚阈值特性影响的研究 张珂珂 (中科院微电子研究所) 随着MOSFET的特征尺寸按照摩尔定律不断减小并进入20rim技术节点，传统平面型结构器件由于短 沟道效应日益显著，其漏电流不断增大，导致芯片静态功耗显著增加，不能满足市场对高性能低功耗集成 能力，可以有效地抑制器件的短沟道效应，进一步增加驱动电流的同时具有较小的泄漏电流，是20nm技 术节点后构成集成电路的主要器件13]141。 多栅器件采用立体结构，如鳍形结构(Fill)，作为器件的沟道区及源漏区，为了提高栅控能力以及抑 制短沟道效应，Fin的厚度通常只有几纳米至十几纳米。因此，源漏区离子注入的倾斜角度(Tilt angle) 的变化将会对源漏区的掺杂分布产生微妙而重要改变，这将对多栅器件的亚阈值特性造成显著的影响。 本文应用TCAD仿真软件研究了倾斜离子注入对FinFET器件亚阈值特性影响。通过采用与实际器件 【5】(Intel22nm FETs)相近的三角形Fin结构，分别对源漏区注入角度在35。及550两种情况下进行 Trigate 工艺及器件仿真。通过仿真，增大源漏注入的倾斜角度，可以有效减小源漏结深，使得源漏间的穿通漏电 流急剧减小，由1．3hA／urn降低为5．5 pA／um，降低约三个量级，这对制造超低功耗器件非常重要。于此同 时，源漏穿通阻止层(PTSL)的峰值掺杂浓度为1．2E18cm。左右，GIDL及衬底的带间遂穿电流比源漏穿 mV／V mV／dec降低为66mY／dec，DIBL由34 通漏电流小一个量级以上。另外，器件的亚阈值摆幅也由75 降为23mV／V，短沟道效应受到明显抑制，器件的亚阈值特性得到显著改善。根据本文的研究结果，与平 面型MOSFET器件不同，离子注入工艺的倾斜角度对具有立体结构的FinFET器件以及其他多栅器件的亚 阈值特性有显著的影响，因而注入工艺条件的优化设计对于获得高性能低功耗FinFET器件具有重要意义。 参考文献： MOSFETscalableto20nln．” [1]Hisamoto，D．，W．一C．Lee，eta1．(2000)．FinFET-aself-aligneddouble-gate Electron Transactionson Devices，IEEE 47(12)：2320-2325． nnlCMOSFinFET Devices a1．(2001)．“Sub一20 technologies．”ElectronMeeting， 【2】Yang-Kyu，C．，N．Lindert，et 2001．IEDM01．Technical Digest．International． in DGFinFETs．Ieee P．Trivedi，eta1．(2007)．”Carriermobility／transportundoped-UTB [3]Chowdhury,M．M．，V TransactionsonElectronDevices 54(5)：1125-1131． 1 22nm and CMOS low-powertechnologyfeaturing [4】4 Auth，C．，C．Allen，eta1．(202)．“