倾斜离子注入对FinFET器件亚阈值特性影响研究.pdfVIP

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倾斜离子注入对FinFET器件亚阈值特性影响的研究 张珂珂 (中科院微电子研究所) 随着MOSFET的特征尺寸按照摩尔定律不断减小并进入20rim技术节点,传统平面型结构器件由于短 沟道效应日益显著,其漏电流不断增大,导致芯片静态功耗显著增加,不能满足市场对高性能低功耗集成 能力,可以有效地抑制器件的短沟道效应,进一步增加驱动电流的同时具有较小的泄漏电流,是20nm技 术节点后构成集成电路的主要器件13]141。 多栅器件采用立体结构,如鳍形结构(Fill),作为器件的沟道区及源漏区,为了提高栅控能力以及抑 制短沟道效应,Fin的厚度通常只有几纳米至十几纳米。因此,源漏区离子注入的倾斜角度(Tilt angle) 的变化将会对源漏区的掺杂分布产生微妙而重要改变,这将对多栅器件的亚阈值特性造成显著的影响。 本文应用TCAD仿真软件研究了倾斜离子注入对FinFET器件亚阈值特性影响。通过采用与实际器件 【5】(Intel22nm FETs)相近的三角形Fin结构,分别对源漏区注入角度在35。及550两种情况下进行 Trigate 工艺及器件仿真。通过仿真,增大源漏注入的倾斜角度,可以有效减小源漏结深,使得源漏间的穿通漏电 流急剧减小,由1.3hA/urn降低为5.5 pA/um,降低约三个量级,这对制造超低功耗器件非常重要。于此同 时,源漏穿通阻止层(PTSL)的峰值掺杂浓度为1.2E18cm。左右,GIDL及衬底的带间遂穿电流比源漏穿 mV/V mV/dec降低为66mY/dec,DIBL由34 通漏电流小一个量级以上。另外,器件的亚阈值摆幅也由75 降为23mV/V,短沟道效应受到明显抑制,器件的亚阈值特性得到显著改善。根据本文的研究结果,与平 面型MOSFET器件不同,离子注入工艺的倾斜角度对具有立体结构的FinFET器件以及其他多栅器件的亚 阈值特性有显著的影响,因而注入工艺条件的优化设计对于获得高性能低功耗FinFET器件具有重要意义。 参考文献: MOSFETscalableto20nln.” [1]Hisamoto,D.,W.一C.Lee,eta1.(2000).FinFET-aself-aligneddouble-gate Electron Transactionson Devices,IEEE 47(12):2320-2325. nnlCMOSFinFET Devices a1.(2001).“Sub一20 technologies.”ElectronMeeting, 【2】Yang-Kyu,C.,N.Lindert,et 2001.IEDM01.Technical Digest.International. in DGFinFETs.Ieee P.Trivedi,eta1.(2007).”Carriermobility/transportundoped-UTB [3]Chowdhury,M.M.,V TransactionsonElectronDevices 54(5):1125-1131. 1 22nm and CMOS low-powertechnologyfeaturing [4】4 Auth,C.,C.Allen,eta1.(202).“

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