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倾斜离子注入对FinFET器件亚阈值特性影响的研究
张珂珂
(中科院微电子研究所)
随着MOSFET的特征尺寸按照摩尔定律不断减小并进入20rim技术节点,传统平面型结构器件由于短
沟道效应日益显著,其漏电流不断增大,导致芯片静态功耗显著增加,不能满足市场对高性能低功耗集成
能力,可以有效地抑制器件的短沟道效应,进一步增加驱动电流的同时具有较小的泄漏电流,是20nm技
术节点后构成集成电路的主要器件13]141。
多栅器件采用立体结构,如鳍形结构(Fill),作为器件的沟道区及源漏区,为了提高栅控能力以及抑
制短沟道效应,Fin的厚度通常只有几纳米至十几纳米。因此,源漏区离子注入的倾斜角度(Tilt
angle)
的变化将会对源漏区的掺杂分布产生微妙而重要改变,这将对多栅器件的亚阈值特性造成显著的影响。
本文应用TCAD仿真软件研究了倾斜离子注入对FinFET器件亚阈值特性影响。通过采用与实际器件
【5】(Intel22nm FETs)相近的三角形Fin结构,分别对源漏区注入角度在35。及550两种情况下进行
Trigate
工艺及器件仿真。通过仿真,增大源漏注入的倾斜角度,可以有效减小源漏结深,使得源漏间的穿通漏电
流急剧减小,由1.3hA/urn降低为5.5
pA/um,降低约三个量级,这对制造超低功耗器件非常重要。于此同
时,源漏穿通阻止层(PTSL)的峰值掺杂浓度为1.2E18cm。左右,GIDL及衬底的带间遂穿电流比源漏穿
mV/V
mV/dec降低为66mY/dec,DIBL由34
通漏电流小一个量级以上。另外,器件的亚阈值摆幅也由75
降为23mV/V,短沟道效应受到明显抑制,器件的亚阈值特性得到显著改善。根据本文的研究结果,与平
面型MOSFET器件不同,离子注入工艺的倾斜角度对具有立体结构的FinFET器件以及其他多栅器件的亚
阈值特性有显著的影响,因而注入工艺条件的优化设计对于获得高性能低功耗FinFET器件具有重要意义。
参考文献:
MOSFETscalableto20nln.”
[1]Hisamoto,D.,W.一C.Lee,eta1.(2000).FinFET-aself-aligneddouble-gate
Electron Transactionson
Devices,IEEE 47(12):2320-2325.
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【2】Yang-Kyu,C.,N.Lindert,et
2001.IEDM01.Technical
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[3]Chowdhury,M.M.,V
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1 22nm and CMOS
low-powertechnologyfeaturing
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