热氧化法制备ZnO纳米针的微结构和场发射性质研究.pdfVIP

电子显微学报J．Chin．Eleetr．Mierot,e．Soe ZS(增刊)：40—412006年 热氧化法制备ZnO纳米针的微结构与场发射陛质研究 余雯1，刘日利1，潘春旭1’2 (武汉大学1．物理科学与技术学院．2．声先材料与器件教育部重点实验莹．湖北武汉430072) ZnO是一种重要的宽禁带半导体材料，室温下 带隙宽3．37eV，激子结合能高达60meV，在短波激光 器、太阳能电池、压电材料、发光照明材料等方面具 有广泛的应用前景…。一维ZnO纳米材料具有高 的长径比、良好的物理化学等性能，其合成备受关 注。目前，制备一维Z．O纳米材料的方法很多，大 多基于v—L—s或v—s机制。本工作在较低温度 下利用热氧化踟纳米晶的方法制备出了一维的 ZnO纳米针，并对其显微结构特征、生长机理和场发 射性质进行了研究。 图【纳米针的SEM像。Bar=1m 一维ZnO纳米针的制备过程为：首先利用脉冲 电沉积技术在“基板获得一定厚度的zn纳米晶， 晶粒尺寸在30nto左右，然后在管式炉中400℃加 热，保温1h，最后炉冷至室温。这个过程在大气中 进行。形貌和微结构袁征分别在FEISirion型扫描 电镜(SEM)、JEOLJEM2010型透射电镜(TEM)与 JEM 2010FEF型高分辨透射电镜(HRTEM)，以及德 国BrakerAXS公司D8Advanced型x．射线衍射仪 (XRD)上进行。场发射在Kelthley公司237型场发 x 射仪上进行，真空度为5 10～Pa。 图1和图2是典型的ZnO纳米针SEM和TEM 形貌。可以看出，纳米针以较高的密度垂直于基板 表面生长，根部直径约为20rim一80nm，长度可达 5btm以上。图3是纳米针顶端部位的HRTEM照片， 其具有完整的单晶结构，并沿000l方向生长。 图2纳米针的TEM像。Bar=200znn 图3纳米针的HRTEM像。Bar=5nm 电子显微学报J，Chin．Eleetr．Microec．Soe 25(增刊)：40—412006年 4l 纳米线的结果是一致的。 一般认为，一维ZnO纳米线是按照V．L-S或v- s机制生长的，即反应在较高的温度下进行，并要求 有较高的zn和ZnO蒸气浓度，以及催化剂的存在。 反应初期催化剂液化与气态办形成合金液滴，当合 金液滴达到过饱和后，知在固液界面沿着择优取向 析出。 而在本研究中，ZnO纳米线的最适宜生长温度 ZnO：1975：C)，没有添加催化剂，并且在基板以外的 其它区域没有发现纳米针的痕迹；相反，随着热氧化 温度升高，已经形成的ZnO纳米针会熔融转变成氧 化物颗粒。因此，本实验中生长的ZnO纳米针不符 合v．Ls和V．S机制。也就是说，本ZnO纳米针是