双基区大功率快恢复二极管研究.pdfVIP

电力电子器件 双基区大功率快恢复二极管的研究 北京京仪椿树整流器有限责任公司尹启堂 西安理工大学安涛邢毅李扬 7数学模型，设计双基区P+PINN+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中，引入 摘要：本文首先提出了在采用K=94p。o 刁=等=o．25数学模型的方法；以及硅片扩铂和电子辐照技术，共同控制基区少子寿命及分布新技术；并利用该设计方 达到已达到了国外同类产品水平。说明该设计方法及各种参数的选取是正确的、寿命控制技术是有效的。为P+PINN+结 构二极管设计与制造提供了一种具有重要的指导意义和参考价值的新方法。 关键词：FRDP*PI．NN+结构软恢复少子寿命 1引言 个PN结和两个高低结(P+P和NN+)结构。其中，高浓度 如今，随着以GTO、IGBT、IGCT、IEGT等为代表的 的P+区为阳极；轻掺杂的衬底区N。区和较重掺杂区N区两 大功率器件新型电力电子器件在电力电子领域的广泛应 部分组成基区，N区为缓冲基区或缓冲层；N区掺杂浓度 用，作为其使用中不可缺少的重要“伴侣”芯片一一快 高于N‘区，但远低于N+区#高浓度的N+区为阴极。其结构 速恢复二极管(FRD：Fast Diode)必须满足其剖面图如图1所示【51。 Recovery 应用要求。由于普通快恢复二极管反向特性较“硬”，容 田● 易造成新型电力电子大功率器件的损坏，为了克服普通快 速恢复二极管的缺点，采用P+PINN+结构替代了普通PN结 U，U，U 构和P+IN+结构，该器件具有大的正向电流I。，高的耐压 卜 U咖，较低通态压降V蹦，小的漏电流I。蹦，而且通过精确 N 控制少子寿命及基区的杂质分布，可使得具有反向恢复电 № 荷Q，，减少进一步缩短反向恢复时间t。和软特性(软度系数 阴爱 S GTOIGBT ，，小)。从而使器件的特性能完全满足 、 图1 双基区快恢复二极管 IGCT、IEGT等大功率器件开关电路的续流要求，其广泛2．2原理分析 应用于斩波器、逆变器、感应加热、高频焊接和变频调速 通过P+PINN+结构的快速软恢复二极管、PN结构的的 等电力电子电路。该器件进行研究开发和应用，将对推动 普通整流二极管和P+IN+结构的快速整流二极管的结构及 高频电力电子电路发展具有十分重要的意义I卜钔。 构上来看，P+PINN+型结构是由一个PN结和两个高低结 2 基本结构及原理 2．1基本结构 同PN结构相比在反向时，由于它具有基区I存在使空间电 P+PINN+型二极管是在N‘型半导体衬底上，通过扩散 荷充分展宽从而提高耐压u。。M、正向导通时，由于I区注 形成高浓度的P+和N+层及次表面的P和N层，从而形成一入载流子，增加了I区载流子浓度，增强了电导调制的作 中国电力电子产业发展高峰论坛·论文集 用，使正向压降V。低降，同PIN结构相比在反向时，由于 比值。比值越小软度特性就越好，在同样的外电路条件下 它具有基区I存在使空间电荷充