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2017-08-20 发布于重庆
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第 21 卷第 1 期天　津　理　工　大　学　学　报 Vol. 21 No. 1 　　　　　　　　　　　　　　　 2005 年 2 月 JOURNAL OF TIANJIN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY Feb. 2005 ( ) 　　文章编号 : 1673095X 2005 CVD 金刚石薄膜的掺硼研究潘　鹏 , 常　明 , 朱亚东 (天津理工大学光电信息与电子工程系 , 天津 300191) 摘　要 : 主要介绍硼掺杂金刚石膜的生长. 采用热灯丝 CVD 法在硅上制备金刚石薄膜 ,采用三氧化二硼制备硼掺杂金刚石膜. 利用拉曼光谱分析硼掺杂金刚石膜的生长情况. 结果表明 :硼的掺杂质量分数随生长时间延长而增大 ;利用 SEM 观察硼掺杂金刚石膜的表面晶粒变小 ;利用银浆在掺杂金刚石膜表面制备电极 ,测试电流随温度升高而变大. 关键词 : 金刚石薄膜 ; 硼掺杂 ; 热灯丝 CVD 中图分类号: O472 　　文献标识码 : A The research of BoronDoped diamond film PAN Peng , CHANG Ming , ZHU Yadong (Department of Optical Electronic Information and Electronic Engineering , ) Tianjin University of Technology , Tianjin 300191 , China Abstract : BoronDoped Diamond (BDD) film of deposition is discussed. We use hotfilamentassisted chemical vapor deposition ( HFCVD) to prepare borondoped diamond film on Si with B O . BDD film’s growth condition was studied with Raman spectroscopy. 2 3 It shows that the boron concentration in BDD goes up along with time. We find that BDD’s block becomes small by SEM; Ag is made on BDD surface ,the current passing two points of Ag is measured at different temperatures. Key words : diamond film ; BoronDoped ; HFCVD 　　随着金刚石材料掺杂半导体薄膜合成技术、电极各种应力测量[1 ,2 ] . 形成、绝缘膜形成以及性能测试技术的进步 ,金刚石