第8章 光电式1.2光敏二极管.pptVIP

* 8.1.2 光敏二极管和光敏晶体管 1. 结构原理 光敏二极管的结构与一般二极管相似。 它装在透明玻璃外壳中， 其PN结装在管的顶部，可以直接受到光照射（见图8-7）。 光敏二极管结构简图和符号 光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态 。 图 8-8 光敏二极管接线图 在没有光照射时： 反向电阻很大， 反向电流很小， 这时反向电流称为暗电流。 当光照射在 PN 结上， 光子打在PN结附近， 使PN结附近产生光生电子和光生空穴对， 它们在PN结处的内电场作用下作定向运动，形成光电流。 光的照度越大，光电流越大。 结论： 光敏二极管在不受光照射时处于截止状态， 受光照射时处于导通状态。 光敏晶体管与一般晶体管很相似， 具有两个PN结，如图8-9（a）所示， 只是它的发射极一边做得很大，以扩大光的照射面积。 NPN型光敏晶体管结构简图和基本电路 光敏晶体管接线如图8-9（b）所示，大多数光敏晶体管的基极无引出线， 当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时，集电结就是反向偏压。 当光照射在集电结时，就会在结附近产生电子—空穴对，光生电子被拉到集电极，基区留下空穴， 使基极与发射极间的电压升高，这样便会有大量的电子流向集电极，形成输出电流， 且集电极电流为光电流的β倍，所以光敏晶体管有放大作用。 光敏晶体管的光电灵敏度比光敏二极管高得多， 但在需要高增益或大电流输出的场合，需采用达林顿光敏管。 图8-10是达林顿光敏管的等效电路。 它是一个光敏晶体管和一个晶体管以共集电极连接方式构成的集成器件。 由于增加了一级电流放大，所以输出电流能力大大加强， 甚至可以不必经过进一步放大，便可直接驱动灵敏继电器。 但由于无光照时的暗电流也增大，因此适合于开关状态或位式信号的光电变换。 2. 基本特性  (1) 光谱特性 在一定照度时，输出的光电流（或用相对灵敏度表示）与入射光波长的关系。 硅和锗光敏二（晶体）极管的光谱特性曲线如图8-11所示。 光敏二极(晶体)管的光谱特性 硅的峰值波长约为0.9μm，锗的峰值波长约为1.5μm， 此时灵敏度最大， 而当入射光的波长增长或缩短时，相对灵敏度都会下降。 锗管的暗电流较大，因此性能较差，故在可见光或探测炽热状态物体时，一般都用硅管。 但对红外光的探测，用锗管较为适宜。 (2) 伏安特性 图8-12（a）为硅光敏二极管的伏安特性，横坐标表示所加的反向偏压。 当光照时，反向电流随着光照强度的增大而增大， 在不同的照度下，伏安特性曲线几乎平行，所以只要没达到饱和值，它的输出实际上不受偏压大小的影响。 图8-12（b）为硅光敏晶体管的伏安特性。 纵坐标为光电流， 横坐标为集电极——发射极电压。