光电检测技术—第二章.pptVIP

薄膜场致发光也有直流和交流两种。 直流薄膜场致发光有橙黄和绿色两种，工作电压为10—30V，寿命大于1000h(小时)； 交流薄膜场致发光光源在发光膜层与电极之间多一层绝缘层，因此只在交流电压激发下才发光，发光颜色有橙色和绿色两种。工作电压为100—300伏，频率由数十到数千赫兹，寿命在5000小时以上。 优点：薄膜场致发光由于薄膜的厚度很薄，又没有介质，均匀细密，可以有很高的分辨率，成像质量高。 发光亮度随电压增加迅速上升，因此显示对比度好。 直流薄膜发光器件的驱动电压低，可直接用集成电路驱动。 薄膜光源同样具有粉末器件的一些优点，诸如固体平板化，可制成各种形状，视角大，光线柔和，制备工艺简单，造价便宜等等，因此在显示和显象方面是很有前途的发光器件。 * 发光二极管：是在电场作用下使半导体的电子与空穴（少数载流子）在PN结区注入与复合而产生发光的一种半导体光源。又称注入式电致发光光源。 LED是一种固态P-N结器件，属冷光源； 发光机理是电致发光，如图2－9所示； 当P－N结上有正向电流时即可发光，它是直接把电能转换成光能的器件，没有热交换过程； 由于它发光面小，故可视为点光源。 * （一）LED发光机理及发光光谱 在电场的作用下，半导体材料发光是基于电子能级跃迁的原理： 由某些半导体材料做成的二极管，在未加电压时，由于半导体P-N结阻挡层的限制，使P区比较多的空穴与N区比较多的电子不能发生自然复合。 而当给P-N结加正向电压时，N区的电子越过P-N结而进入P区，并与P区的空穴相复合。 由于高能电子与空穴复合将释放出一定能量，即场致激发使载流子由低能级跃迁到高能级，而高能级的电子不稳定，总要回到稳定的低能级，这样当电子从高能级回到低能级时放出光子，即半导体放电。 总之，当给发光二极管的P－N结加正向电压时，外加电场将削弱内建电场，使空间电荷区变窄，载流子的扩散运动加强。 由于电子迁移率总是远大于空穴的迁移率，因此电子由N区扩散到P区是载流子扩散运动的主体。 当导带中的电子与价带中的空穴复合时，电子由高能级跃迁到低能级； 电子将多余的能量以发射光子的形式释放出来，产生电致发光现象。 发光光谱：电子和空穴复合时放出能量的大小，即光子的能量，取决于半导体材料的禁带宽度Eg(Eg=E1-E0)，放出的能量越大（禁带宽度Eg越大），发出的光辐射波长就越短。 不同材料的禁带宽度Eg不同，所以不同材料制成的发光二极管可发出不同波长的光。 * LED既是半导体器件，也是发光器件。性能参数有两个方面：电学方面和光学方面。 电学参数：正向电流、正向电压、功耗、响应时间、反向电压、反向电流等。 光学参数：辐射波长、光谱特性、发光亮度、光强分布等。 了解半导体发光二极管的特性，对于正确使用它有重要意义。 * 1、伏安特性：伏安特性即电流—电压特性，是发光二极管的基本特性。 伏安特性曲线形状和普通二极管的伏安特性曲线相似。从特性曲线可以看出： 正向电压较小时不发光，此区为正向死区，即电压在开启点之前几乎没有电流；电压超过开启点就显示出欧姆导通特性。电流进一步增加会引起发光二极管输出光强饱和，直至损坏器件。正向电压一般为1.5~3V。（串联电阻） 加反向电压时不发光，只有很小的反向电流流过管子，这时的电流称为反向饱和电流；当反向电压到击穿电压的时候，反向电流突然增大，出现反向击穿现象。反向击穿电压约为5~20V左右。（保护二极管） 2、发光亮度与电流密度 （1）发光亮度基本上正比于正向电流密度（通以正向电流时）。但随着电流密度的增加，发光亮度有趋于饱和的现象。 因此采用脉冲驱动方式是有利的，它可以在平均电流与直流相等的情况下有更高的亮度。 （2）发光亮度受到环境温度的影响。（P-N结温度升高到一定程度后，电流将变小，发光亮度也减弱） (a)环境温度越高，所允许的耗散功率越小，允许的工作电流也就越小，发光亮度下降； (b)环境温度越高，结温升高，也使发光效率（亮度）下降。 （3）即使环境温度不变，由于注入电流加大，引起结温升高，发光亮度－电流密度曲线也会呈现饱和现象。 * 3、响应时间：是表示反应速度的一个重要参数。 LED的响应时间是动态参数，指LED开启与熄灭的时间延迟，通常用开启时间tr和下降时间tF来表征。 开启时间tr：指接通电源后，发光亮度从10%到达90%所经历的时间，一般在4~10ns之间。 下降时间tF：指切断电源后，管子发光亮度从90%降到10%所经历的时间，一般在4ns到几十ns之间。 可以看出，LED的响应时间很短，可工作在10~100MHz的动态场合。 应用：可利用交流供电或脉冲供电获得调制光或脉冲光，调制频率可达几十兆赫。 这种直接调制技术