14章半导体器件2.pptVIP

14.5 双极型晶体管（BJT—Bipolar Junction Transistor ） 1. 基本结构 2. 电流分配和放大原理 3、特性曲线: 通过晶体管图示仪观测或实验电路测绘得到 14. 6 光电器件 * N型硅 P型 N型 SiO2保护膜 C(Collector) B(Base) E(Emitter) 平面型结构 N N P 集电结 发射结 集电区 发射区 基区 C B E B E C 平面型(硅管)、合金型(锗管) 集电极 发射极 基极 结构示意图 符号 了解晶体管的基本结构、工作原理和主要参数，掌握晶体管的特性曲线、电流分配和放大作用； 硅管多为NPN型（3D系列） N型锗 铟球 铟球 P型 P型 C E B 合金型结构 N P P 集电区 发射区 基区 集电结 发射结 C B E B E C 制造工艺特点——掺杂浓度：发射区集电区基区 结构示意图 符号 (a) 硅酮塑料封装 (b) 金属封装小功率管 (c) 金属封装大功率管 各种外形的晶体管 晶体管电流放大的实验电路： 共发射极电路 设 UCC = 6 V，改变可变电阻 RB, 则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表： mA ?A V V mA IC UCC IB IE RB + UBE ? + UCE ? UBB C E B 3DG100D - + + - (2) IC ?? IB ， IC ? IE， 晶体管电流测量数据 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 mA ?A V V mA IC UCC IB IE RB + UBE ? + UCE ? UBB C E B 3DG100D - + + - （4）要使晶体管起放大作用，Je必须正偏， Jc必须反偏。 （3）当IB=0时，IC=ICEO（穿透电流）； ? IC ?? ? IB， ? = ? IC / ? IB ?体现了晶体管的电流放大作用 结论： (1) IE = IB + IC + UBE ? IC IE IB C T E B ? ? ? ? + UCE ? VC VE VB VB VE VC + UBE ? IB IE IC C T E B ? ? ? ? + UCE ? (a) NPN 型晶体管； (b) PNP 型晶体管 不同类型的管子，工作在放大状态时，其偏置电压不同，使用时要注意。 VC＞VB ＞VE VE＞VB ＞VC 如：有两个晶体管分别接在放大电路中，今测得它们三个管脚的电位，晶体管Ⅰ：①4V②3.4V③9V；晶体管Ⅱ：①-6V②-2.3V③-2V 并由此判别:(1)管子的三个电极（E,B,C）;(2)是NPN型还是PNP型；（3）是硅管还是锗管。 电流放大原理 B E C N N P EB RB EC IE 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 由于基区接电源的正极，基区中受激发的价电子不断被电源拉走，形成电流IBE ，基本上等于IB。 IBE IB 由于集电结反偏，将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的自由电子拉入集电区，形成电流ICE ，基本上等于IC。 IC IC+IB=IE 电流放大的本质是： 发射极电流被按照一定比例进行分配。 三极管具有比例性和可控性 要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。 B E C N N P EB RB EC IE IBE IB IC 输入回路 输出回路 mA ?A V V mA IC UCC IB IE RB + UBE ? + UCE ? UBB C E B 3DG100D - + + - 1. 输入特性 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6 ~ 0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V 3DG100D晶体管的 输入特性曲线 O 0.4 0.8 IB/?A UBE/V UCE≥1V 60 40 20 80 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 mA ?A V V mA IC UCC IB IE RB + UBE ? + UCE ? UBB C E B 3DG100D - + + - 2. 输出特性 共发射