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第十二章 半导体磁和压阻效应 学生：李小国 学号：110420088 专业：物理化学 第十二章 半导体磁和压阻效应 §12.1 霍耳效应 §12.2 磁阻效应 §12.3 磁光效应 §12.4 量子化霍耳效应 12.1 霍耳效应 1.一种载流子的霍耳效应 P型半导体：当沿Ox方向加电场Ex时，空穴漂移速度为vx,电流密度JX =pqvx 。 在垂直磁场Bz作用下，空穴受到洛伦兹力qvB,方向沿-y方向，大小为qvxBz 。 在洛伦兹力作用下，空穴向-y方向偏转，如同附加一个横向的电流，因而在样品两端引起电荷积累，A面积累积了空穴，即正电荷，如图示。 n型半导体， 电子沿飘移速度沿 -x方向，洛伦兹力为-qv×B，仍-y方向，但A面积累积了电子，霍尔电场沿-y方向。 - qEy－ q vxBz＝0 则 2.载流子在电磁场中的运动 上式的运动轨迹为 3.两种载流子的霍耳效应 4. 霍耳效应的应用 12.2 磁阻效应 在与电流垂直的方向加磁场后，进一步研究发现，沿外加电场方向的电流密度有所降低，即由于磁场的存在，半导体的电阻增大，这个现象称为磁阻效应。 磁阻效应分为物理磁阻效应和几何磁阻效应。 1.物理磁阻效应 物理磁阻效应指的是材料电阻率随磁场增大的效应，又称磁电阻率效应。 2.几何磁阻效应 12.3 磁光效应 2.带间磁光吸收 在磁场作用下，由于形成朗道子带，因而对光吸收发生影响。 随着磁感强度的增加，本征吸收的长波限向短波移动，以导带和价带均处于k =0的球形等能面为例： 12.4 量子化霍耳效应 二维电子气系统中的电子在电场与磁场的作用下的霍尔效应表现出明显的量子化性质。1980年，冯克利奇等人首先从试验中观察到了量子化霍尔效应。 二维电子气在z方向强磁场作用下，如12.3节所述，沿界面方向电子的运动发生磁量子化，这些二维子带中的电子状态要发生重新组合，又分立成一系列分立的朗道能级，各能级能量为。 * * 本章的主要内容： 介绍半导体在电场和磁场中表现出来的霍耳效应、磁阻效应，以及光照或存在温度梯度时所表现出来的磁光效应、光磁电效应、热磁效应等，对上述各种效应作一扼要的叙述，并简要的介绍对半导体施加应力时产生的压阻效应和声电效应。 定义：把通有电流的半导体放在均匀磁场中，设电场沿x方向，电场强度为Ex ，磁场方向和电场垂直，沿z轴方向，磁感应强度为Bz ，则在垂直电场和磁场的+y或-y方向将产生一个横向电场Ey。 霍尔电场Ey与电流密度为和磁感应强度为Bz成正比 ，即 Ey=RHJxBz RH = Ey /JX Bz 其中RH为霍尔系数。 在+y方向产生横向电场，当横向电场对空穴的作用与洛伦兹力作用相抵消时达到稳态时，霍尔电场应满足 qEy－ q vx Bz＝0 与式（12-2）相比，得 横向霍尔电场的存在说明，在有垂直磁场时，电场和电流不在同一个方向，两者之间的夹角θ称为霍尔角。 P型半导体 N型半导体 利用 得， 实验中常通过测量霍耳电压VH以求RH 样品长l,宽度b，厚度d，将 代入式（12-1），得： 设电子在电场强度为E，磁感应强度为B的电磁场中运动，电子的运动方程为 其中电子运动由以下两部分组成： 一、初速度为零且只在B的作用下的运动； 二、在E,B共同作用下初速度为零的运动； 分析第二种运动，即认为每两次散射之间，初速度为零。 设 E=（Ex,Ey,0),B=(0,0,Bz),则电子运动方程为 当t=0时，v=0,可解得， 式中w=qBz/m* 选择 为轴，使E沿Ox‘方向，即E=(Ex,0,0),则上式为 ｛ 表示的是以x y为轴的旋轮线 由式（4－38） ，可计算多次散射后的平均速度为 No 为t=0时未遭散射的电子数， τ＝1/P，为平均自由时间， τ 为常数。 由式（4－9）J＝－nqvd，得到在E,B作用下的电流密度 稳态时，Jy＝0，由上式求得Ey， 代入Jx的表达式，得 上述分析没有考虑载流子速度的统计分布，如果计及载流子统计分布，可得以下结果公式