大功率器件课程设计第三章_1_.pptVIP

第三章 垂直导电MOS型功率器件 第一节 引言 2. 各种垂直功率MOS的结构 3. 从功率MOS到IGBT 第二节 垂直功率MOS的结构与I-V特性 最常用的方法是元胞结构 功率集成电路中VDMOS的结构 杂质分布 MEDICI仿真图 一种混合结构 VDMOS的制造 一种典型工艺过程（栅与沟道非自对准） 一种自对准工艺过程 3. VDMOS的I-V特性 VDMOS的I-V曲线 4. 温度影响及安全工作区 * 提高功率和频率 新的工作原理 新的器件结构 新的材料 先看普通MOS: 增大电流 减小L 增大Z N条并联，即叉指状 元胞结构 1. 结构 耐压由垂直方向承担 VDMOS的结构 2. 制造 用于POWER IC 的一种VDMOS的工艺 将VDMOS根据物理特性分为沟道区和漂移区： VDMOS的沟道区和漂移区示意图 VDMOS中沟道区的位置与结构 沟道区模型： 高压VDMOS中的沟道区是由N+源接触区、P-body、栅下轻掺杂的漂移区以及多晶硅栅共同构成类似于一个MOS管的结构，即为高压VDMOS中的沟道区。 软件仿真结果 典型的VDMOS沟道区掺杂浓度分布 高压VDMOS在制造过程中，其沟道区一般是由两次扩散形成的，第一次是硼的扩散，第二次是磷或砷的扩散，沟道长度由这两次扩散进入氧化层下的结深决定。这种双扩散的工艺使得沟道区表面横向掺杂浓度是不均匀的。 漂移区模型： 高压VDMOS的漂移区是由在N+衬底上外延的N-层和对称分布的p-body构成的，电子从沟道区流出后，进入漂移区中，先进入p-body间较为狭窄的部分沿纵向流动，从p-body间较为狭窄的部分出来后开始以一定角度分散流动，到达一定的距离又沿纵向流动。 Yeong-seuk Kim的漂移区模型： Yeong-seuk Kim为了考虑漂移区电场对电子迁移率的影响，其漂移区采用了F. N. Trofimenkoff的电子速度模型： 结合漂移区中电流方程和泊松方程，建立了一个关于VDMOS漂移区纵向电场的微分方程： *