第3章 半导体光电检测器件及应用.pptVIP

第3章  半导体光电检测器件及应用 3.1 光敏电阻 光敏电阻是光电导型器件。 光敏电阻材料：主要是硅、锗和化合物半导体，例如：硫化镉（CdS），锑化铟（InSb）等。 特点： 光谱响应范围宽（特别是对于红光和红外辐射）； 偏置电压低，工作电流大； 动态范围宽，既可测强光，也可测弱光； 光电导增益大，灵敏度高； 无极性，使用方便； 在强光照射下，光电线性度较差 光电驰豫时间较长，频率特性较差。 3.1.1 光敏电阻的结构及其工作原理 光敏电阻结构：在一块均匀光电导体两端加上电极，贴在硬质玻璃、云母、高频瓷或其他绝缘材料基板上，两端接有电极引线，封装在带有窗口的金属或塑料外壳内。 工作机理：当入射光子使半导体中的电子由价带跃迁到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，其阻值急剧减小，电导增加。 本征型和杂质型光敏电阻 本征型光敏电阻：当入射光子的能量等于或大于半导体材料的禁带宽度Eg时，激发一个电子－空穴对，在外电场的作用下，形成光电流。 杂质型光敏电阻：对于Ｎ型半导体，当入射光子的能量等于或大于杂质电离能ΔE 时，将施主能级上的电子激发到导带而成为导电电子，在外电场的作用下，形成光电流。 本征型用于可见光长波段,杂质型用于红外波段。 光电导与光电流 光敏电阻两端加电压（直流或交流）．无光照时，阻值（暗电阻）很大，电流（暗电流）很小；光照时，光生载流子迅速增加，阻值（亮电阻）急剧减少．在外场作用下，光生载流子沿一定方向运动，形成光电流（亮电流）。 光电流：亮电流和暗电流之差： I光 = IL - Id 光电导：亮电流和暗电流之差： g = gL - gd 无光照，暗电导率： 光照下电导率： 附加光电导率,简称光电导： 光电导相对值： 要制成附加光电导相对值高的光敏电阻应使p0和n0小，因此光敏电阻一般采用禁带宽度大的材料或在低温下使用。 当光照稳定时，光生载流子的浓度为： 无光照时，光敏电阻的暗电流为： 光照时，光敏电阻的光电流为： 光敏电阻的基本结构 3.1.2 光敏电阻特性参数 光电特性 伏安特性 频率特性和时间响应 温度特性 光电特性——光电流与入射光照度的关系： 光电导灵敏度: 光电导g与照度E之比. (1)弱光时，γ=1，光电流与照度成线性关系； (2)强光时， γ=0.5，光电流与照度成抛物线； 强光照下，光照增强的同时，载流子浓度不断的增加，同时光敏电阻的温度也在升高，从而导致载流子运动加剧，因此复合几率也增大，光电流呈饱和趋势。（冷却可以改善） 光电导增益 光电导增益反比于电极间距的平方。 量子效率：光电流与入射光子流之比。 伏安特性 在一定的光照下，光敏电阻的光电流与所加的电压关系 光敏电阻是一个纯电阻，因此符合欧姆定律，其伏安特性曲线为直线。 不同光照度对应不同直线 光敏电阻为纯电阻，符合欧姆定律，对多数 半导体，当 电场强度超过 （强光时），不遵守欧姆 定律。硫化镉例外，其伏安特性在100多伏就不成线性了。 光照使光敏电阻发热，使得在额定功耗内工作，其最高使用电压由其耗散功率所决定，而功耗功率又和其面积大小、散热情况有关。 频率特性 光敏电阻时间常数比较大，其上限截止频率低。只有PbS光敏电阻的频率特性稍好些，可工作到几千赫。 另外，光敏电阻时间常数与输入光的照度有关，照度越大，光敏电阻越小，导致弛豫时间越小。例如：E=0.11(lx)时,tr=1.4(s); E=10(lx)时,tr=66(ms); E=1000(lx)时,tr=6(ms)。 响应时间 光敏电阻的时间响应特性较差 材料受光照到稳定状态，光生载流子浓度的变化规律： 停止光照，光生载流子浓度的变化为： 温度特性 光敏电阻的特点 1、优点： 灵敏度高，光电导增益大于1，工作电流大，无极性之分 光谱响应范围宽，尤其对红外有较高的灵敏度 所测光强范围宽，可测强光、弱光 2、不足： 强光下光电转换线性差 光电导弛豫时间长 受温度影响大 由伏安特性知，设计负载时，应考虑额定功耗 进行动态设计时，应考虑光敏电阻的频率特性 光敏电阻参数 使用材料：硫化镉（CdS），硫化铅（PbS），锑化铟（InSb），碲镉汞（HgCdTe），碲锡铅（PbSnTe）。 光敏面：1-3 mm 工作温度：-40 – 80 oC 温度系数： 1 极限电压：10 – 300V 耗散功率： 100 W 时间常数：5 – 50 ms 光谱峰值波长：因材料而不同，在可见/红外远红外 暗电阻：108 欧姆 亮电阻：104 欧姆 典型光敏电阻 2、硫化铅（PbS）光敏电阻 3、锑化铟（InSb） 光敏电阻 4、Hg