原创力文档- 1、本文档共9页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
三、半导体中杂质能级 1、杂质的占位方式 实际半导体中总存在某些杂质（无意掺杂、有意掺杂），少量掺杂能对半导体物理和化学性质及器件质量有决定性影响。 根本原因在于：杂质存在使晶体中严格周期性排列原子产生的周期性势场受到破坏，可在禁带中引入能级。 以元素半导体Si为例分析杂质进入半导体中占位方式： 金刚石型晶体中晶胞内8个原子占晶胞体积34%，尚有64%间隙位置 替位式杂质：杂质原子取代晶格原子位于格点位置（原子大小及价电子壳层结构相近） 间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子间的间隙位置（间隙原子半径比较小） 2、杂质能级 1）施主杂质、施主能级 Ⅲ、Ⅴ族元素在Si中是替位杂质。如：Si中掺杂Ⅴ族元素P 杂质电离： （杂质电离后形成晶格中不能移动正电中心 和晶格中自由电子） 杂质电离能：价电子脱离杂质原子束缚成为导电电子所需能量 施主能级： 2）受主杂质、受主能级 如，Si中掺杂Ⅲ族元素B为例 B替代Si后在Si晶体共价键中产生一个空穴，形成 受主杂质电离能： 受主能级： 3）浅杂质电离能的简单估算 利用类氢模型： 4）杂质的补偿作用 5）深能级杂质 6) 如：GaAs中杂质能级状况 * *
文档评论（0）