光电检测技术—第四章.pptVIP

在高频条件下工作的光电二极管，PN结的势垒电容对光电二极管的频率特性有着决定性的影响，结电容与器件的光敏面积成正比，与PN结两端的反向电压的平方根成反比，因此，为了提高器件的响应速度，可采取如下措施： ①减小PN结面积，即选用光敏面积小的器件。 ②适当增加工作电压。 ③尽量减小分布电容。 ④在电路设计中选用最佳的负载电阻RL，做到既不至于使输出信号的幅度过分降低，又能满足电路对时间常数的要求。 （二）光电二极管的使用方式 1、反偏法：即在PN结上预先加一个反向电压。 （1）当光强恒定或缓慢变化 （2）光强频率变化很高 入射光是脉冲光或频率很高的正弦调制光时，前面的分析不能适用。脉冲光可以看成一个恒定光和许多正弦调制光的叠加，输出的光信号电压亦是这些光分别产生的光电信号电压之和。在正弦调制光下，上图的两个实际电路有完全相同的等效电路。 由于二极管在反向偏压下的动态电阻远大于负载电阻，放大器的输入电阻通常也比大得多，所以它的等效电路变成下图所示的简单形式。 反偏运用对于检测微弱的恒定光是不利的。二极管的光电流与暗电流接近时，光电信号是难以取出的。这时常采用斩波方法，把微弱恒定光转换为调制光，再对光电信号进行锁相放大，能够极大的提高检测灵敏度。使用斩波器时，需要对它的形状和光路进行细致分析，方能找到光电信号和被测光通量的正确关系。 2、开路法：若放大器的输入电阻ri比光电二极管的动态电阻RSH大得多，这时二极管的直流输出电压便是开路电压。 3、短路法 （三）光电三极管的使用要点 1、无基极引线： 结型器件和光电导器件相比较，主要区别： 产生光电变换的部位不同。光敏电阻不管哪一部分受光，受光部分的电导率就增大；而结型器件，只有照射到P—N结区或结区附近的光才能产生光电效应，光在其它部位产生的非平衡载流子，大部分在扩散中符合掉，只有少部分通过结区，但又被结电场所分离，因此对光电效应基本上没有贡献。 光敏电阻没有极性，工作时必须外加电压；而结型光电器件有确定的正负极性，在没有外加电压下也可以把光信号转换成电信号。 光敏电阻的光电导效应主要依赖于非平衡载流子的产生与复合运动，驰豫过程的时间常数较大，频率响应较差；结型的光电效应主要是依赖结区非平衡载流子中部分载流子的漂移运动，电场主要加在结区，驰豫过程的时间常数（可用结电容和电阻之积表示）相应较小，因此响应速度较快。 有些结型光电器件，如光电三极管、雪崩光电二极管等有较大的内增益作用，灵敏度较高，也可以通过较大的电流，因此，结型光电器件一般应用于精密光学仪器、光度色度测量、光电自动控制、光电开光、光继电器、报警系统、电视传真、图象识别等方面。 光电池作为控制元件时通常接非线性负载，控制晶体管工作。 如图 (a)所示的情况。当硅光电池与锗管相接时,锗管的基极工作电压在0.2~0.3V之间,而硅光电池的开路电压可达0.5V左右(有负载时电压小于0.5V),因此,可把光电池直接接至锗管的基极使它工作。利用图(b)的图解分析可知,当照度自100lx变至800lx时,锗管中的基极电流IB(图中光电池伏安曲线与锗管输入特性曲线AB的交点)和集电极电流IC=βIB与照度Eν几乎成线性变化。 * 光电池作为电源使用时，根据使用要求进行连接。 需要高电压时应将光电池串联使用； 需要大电流时应将光电池并联使用。 * 对于硅管,其基极的工作电压为0.6~0.7V,一个光电池0.5V电压不能直接控制它的工作。这时可用两个光电池串联后接入基极。 * 用偏压电阻产生附加电压。如下图。图中(a)和(b)分别用可变电阻RW和二极管D产生所需的附加电压,假设为0.3V至0.5V。这样光电池本身只需0.2V至0.4V的光电动势就可以控制晶体管的工作了。 图 (a)中采用了可变电阻RW,其优点是光电池所需的附加电压可任意调节;(b)中采用了二极管D,其特点是对晶体管的工作点随温度的变化有补偿作用,但二极管的正向压降为确定的数值,不能任意调节。 光电计数器、光电继电器等开关电路经常采用左图所示的线路。 * 硅光电池的开路（负载电阻RL趋于无限大时）电压与照度的关系是非线性的,因此,作为测量元件使用时,一般不宜当作电压源使用。而且硅光电池的开路电压最大也只有0.6V左右,因此如果希望得到大的电压输出,不如采用光电二极管和光电三极管,因为它们在外加反向电压下工作,可得到几伏甚至十几伏的电压输出。但如果照度跳跃式变化,如从零跳变至某值,对电压的线性关系无要求,光电池可有0.5V左右(开路电压)的电压变化,亦可适合于开关电路或继电器工作状态。 * 若要增加光电池的输出电压,类似于光电二极管可加反向电压,如图(a)所示,有时为了改善线性亦可加反向电压。为加以说明,光电池的伏安特性曲线画于图(b)。图中画出