电磁学02静电场中的导体与介质.pptVIP

4.2, 4.3, 4.4 ,4.5 5.2, 5.16, 5.24, 5.29 1.将一带正电的导体A移近一原不带电的绝缘导体B时，导体B的电势是升高还是降低？为什么？ 2.空间有N个带电导体，试证其中至少存在一个导体，其表面上各点电荷密度?不异号(可先证N = 2情形)。 几点说明： ?由于热运动， 不是都平行于 ； ?有极分子也有位移极化，但在静电场中主 要是取向极化； ?有极分子在高频场中，位移极化反而是主 要的。 四.极化强度（electric polarization） 定义极化强度矢量： ?V是宏观小、微观大的体积。 E不太强时，在各向同性介质内有： ? e 称电极化率(polarizability)。 P E 线性极化 0 五.极化电荷（polarizatcon charge） 1.极化面电荷 以位移极化为例，设在电场力作用下正电荷向电场方向移动。 在各向异性介质内，一般地说 。 等效 电介质 P + + + + σ ′ 抵消 不抵消 电介质 P E 设 单位体积分子数为 n， 则 电介质 ds ′ n ＾ P + + + + σ n θ dq? 小柱体 l 2.极化体电荷： Δ q内 ′ 电介质 ΔV S 称为 的“散度”(divergence)。 在直角坐标中 例 已知一介质球被均匀极化，极化强度为 求：极化电荷分布 解： 均匀极化 0 = ￠ r 有 均匀极化，电荷 并不均匀分布！ P r ＋ － ＋ ＋ － － 介质表面上取角位置为 q 处 §2.5 有介质时静电场的规律 一. 的高斯定理 q0内 q内 ′ 电介质 q0 S 令 称为电位移（electric displacement）或电感（应）强度 ─ 的高斯定理 对各向同性介质 称介质的介电常数（电容率） （permittivity） 于是有 电介质 ?r=const. ?例1?证明各向同性均匀介质内?0=0处必有?? = 0。 证： ?q?内 ?V S [例2] 一无限大各向同性均匀介质平板厚度为 解： 面对称： 平板 取坐标系如图 处 以 处的面为对称 过场点作正柱形高斯面 底面积设为S0 ,由高斯定理： 内部均匀分布体电荷密度为 相对介电常数为 的自由电荷 求：介质板内、外的 （中分面） 均匀介质壳 ?r [例3] 已知：导体球R1、qo， 求： 的分布。 解： 导体球内： 导体球外： 介质和电场球对称， 选高斯面 S，令其半径r R1， (高) 介质外： R1 · q0 O 导体球 R2 S r 介质内： 均匀介质球壳R2 、?r。 下面求极化电荷q? 的分布 ： 介质内部： 介质内表面： 介质外表面： E 0 R1 R2 r 思考 为什么曲线不连续？ 二.静电场的界面关系 1.界面的法向 （高） 2.界面的切向 扁柱体面 扁矩形边 （环） 0 3.对各向同性介质交界面 若 则 ① ② 若 则 举例：均匀电场中置入均匀各向同性 介质板，E0，? ，? 已知。 求：板内外场强（不计边缘效应）。 ε 分析：介质均匀极化， ∴板外 E’=0 由 α E外=E0 E内 大小、方向可求。 §2.6 电容器及电容 capacitor ， capacity 一.孤立导体的电容 C只与导体几何因素和介质有关 单位（ SI ）:法拉 给定孤立导体，有 定义 固有的容电本领 例 求真空中孤立导体球的电容 设球带电为 解： 导体球电势 ∴导体球 电容 介质 几何因素 数量级 欲得到 1F 的电容 孤立导体球的半径 R = ? 由孤立导体球电容公式知 二.电容器的电容 电容器： 特殊导体组—— 导体壳+壳内的另一导体。 定义 内表面 两极板间电势差 特点：其间电场由电量和 几何因素及介质决定。 两相对表面的形状、大小及相对位置 等量异号 给定电容器： 典型的电容器 球形 设 电容的计算方法： 柱形 l 平行板 d S 例 求柱形电容器单位长度（柱高）的电容 设单位长度（柱高）带电量为? 解： 不计边 缘效应 有介质时电容器的电容 真空电容器 介质充满极板之间 填充介质的作用 增大电容 又称相对 电容率 有电介质时还需考虑介质的击穿问题. Q0:极板电荷 （自由电荷） 思考：如图示的平板电容器被一金属盒子包围（并与之绝缘），问：从a、b端看进去的电容量是否等于平板电容器的电容量？(分析理由)。 a b 本节全部自学。