太阳能电池090611.pptVIP

硅系太阳能电池——工艺简介 太阳能电池分类 单晶硅太阳能电池的特点： (1) 作为原料的硅材料在地壳中含量丰富，对环境基本上没有影响。 (2) 单晶制备以及pn 结的制备都有成熟的集成电路工艺作保证。 (3) 硅的密度低，材料轻。即使是50 μm 以下厚度的薄片也有很好的强度。 (4) 与多晶硅、非晶硅比较，转换效率高。 (5) 电池工作稳定，已实际用于人造卫星等方面，并且可以保证20 年以上的工作寿命。 单晶硅太阳能电池制造工艺流程 1、硅片切割，材料准备： 工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片，硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（掺硼）。 2、去除损伤层： 硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。 3、制绒： ??? 制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟。 4、扩散制结： ??? 扩散的目的在于形成PN结。普遍采用磷做n型掺杂。由于固态扩散需要很高的温度，因此在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。 5、边缘刻蚀、清洗： ??? 扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边。扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。 6、沉积减反射层： ??? 沉积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。广泛使用PECVD淀积SiN ,由于PECVD淀积SiN时,不光是生长SiN作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用,可用于大批量生产。 7、丝网印刷上下电极： ??? 电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，它不仅决定了发射区的结构，而且也决定了电池的串联电阻和电池表面被金属覆盖的面积。，最早采用真空蒸镀或化学电镀技术，而现在普遍采用丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳电池的正背面，以形成正负电极引线。 8、共烧形成金属接触： ??? 晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才能形成良好的带有金属电极欧姆接触，共烧工艺只需一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触。在太阳电池丝网印刷电极制作中，通常采用链式烧结炉进行快速烧结。 9、电池片测试： ???完成的电池片经过测试分档进行归类。 检测仪分为4 个功能部分: 高压脉冲电源; 模拟太阳光平行光源; 电子负载; 工控计算机。其中高压脉冲电源为氙灯管提供脉冲能量, 一般情况下充电电压为550V, 灯管释放的光能经过铝箔、毛玻璃的漫反射处理后, 基本上转化为1 000W/m2 的模拟太阳光,即用于检测太阳能电池的大面积平行光源, 该光源配备一个标准太阳能电池片, 作为参考电池, 输出的电压值代表检测时的光强; 电子负载主要由两个大功率功放器件组成, 用于将来自太阳能电池的电流电压信号稳定输出, 再将电流、电压以及参考电池电压、温度的模拟量输出到工控计算机的高速数据采集卡, 数据采集卡将以每秒1M 个样本的速率将模拟量转换为数字量, 经过转换后得到的数据, 就可以作为原材料处理获得太阳能电池的各个物理参数了 采集到的数据必须经数据处理过程才能得到非常接近客观事实的分析结果 太阳能电池检测软件的程序一般用5 个步骤处理原始数据, 第1 步为数据截取, 第2 步为线性拟合, 第3 步为修正, 第4步为再线性拟合, 第5 步为计算得到电池的各个物理参数。 多晶硅太阳能电池特点 提高晶体硅太阳能电池的常用方法 将电极作成手指状(Finger) ，以增加入射光的面积(图一) 将金属电极埋入基板中，以减少串联电阻。 因金属与硅的接合处，有大量的缺陷，此易造成逆向饱和电流降低效率，因此制成PERL(Passivated-Emitter ,Rear Locally-diffused) ，减少实际电极与硅的接触面积。 点接触式太阳电池(Point Contact Cells) (图四)