硅量子点的制备及其在存储器中的应用.pdfVIP

硅量子点的制备及其在存储器中的应用 曾祥斌，郑文俊，文西兴，廖武钢，冯峰，黄诗涵，文杨阳 (华中科技大学光学与电子信息学院) 摘要：采用热氧化的方法在P型硅衬底上获得Si02隧穿层；随后采用等离子体化学气相沉 积的方法，以CH4与siI{4为反应气体，在隧穿层上制备富硅SiC。薄膜；并将上述样品原位 1000。C热退火制备了含硅量子点的SiC。薄膜；最后利用PECVD的方法在SiC；薄膜沉积控 制栅绝缘层，获得了含SiC；薄膜包裹硅量子点的存储结构。采用透射电子显微镜(TEM) 观测存储层的结构、SiC；薄膜中的硅量子点，结果表明，采用上述工艺成功制备了Si02／SiC。 薄膜／Si．QDs／SiCx薄膜存储层，SiC。薄膜中生长了大量的硅量子点。采用C．V特性曲线测试 的方法对存储层的存储性能进行测试．C．V特性曲线表明，在扫描栅压为±12V时，双势垒 存储结构有将近10V的存储窗口，编程过程有大量的电子注入到硅量子点中。利用退火的 方法能够从富硅SiC。薄膜中析出硅量子点；在存储器中引入硅量子点能够改善存储器的存 储性能，获得很大的存储窗口，并且储存器容易制备，与传统CMOS工艺兼容。 关键词：硅量子点；存储器；C-V特性；SiCx薄膜 1引言 量子点具有量子限域及库伦阻塞[1-3]等效