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基于EUV光刻掩模简化模型的掩模衍射分析 曹宇婷12，王向朝“2，彭勃“2 1中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学实验室，上海201900 2中国科学院研究生院，北京100039 ElJr光刻掩模是ELIV光刻成像系统的重要组成部分。不同于DUv光刻掩模， ElJr掩模为反射式掩模，且掩模厚度远大于入射光波长。在斜入射光照明下，掩 模的厚掩模效应将导致光刻成像质量的恶化，出现图形位置偏移、图形特征尺 寸偏差等掩模像差现象。随着光刻特征尺寸的不断缩小，EUV光刻成像系统工艺 容限的要求越来越严格，斜入射条件下的厚掩模效应在光刻成像系统中不弈忽 视。 为了分析掩模的厚掩模效应．需要采用严格仿真计算(如时域有限差分算 法FDTD)来获得掩模衍射场的精确分布。但FDTD方法计算量比较大，计算速度 慢。本文根据EOV掩模吸收层结构和多层膜结构的特点，建立了EIJv掩模简化 模型．采用解析表达式实现了对掩模衍射谱的简单描述，可快速准确地分析掩 模的厚掩模效应。 ^ 观察面