02 IC制造材料.pptVIP

第二章 IC制造材料 2.2 硅材料的分类 1、按形态分： 薄膜型：淀积在玻璃、钢片、铝片等廉价衬底上，所用的硅材料很少。 体材料（块状硅）：通常以硅片形式出现 2、按纯度分： 3、按结构分： 单晶硅：所有的硅原子按一定规律整齐排列，结构完全是金刚石型的。长程有序 多晶硅：有众多小晶粒，排列方向不同。 非晶硅：短程有序，长程无序 上述3种分类一般要综合，例如： 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 单晶硅锭（片） 多晶硅锭（片） 半导体级的硅才能制成单晶硅，太阳级硅则只能制成多晶硅锭，非晶硅一般以薄膜形式出现。 1． 粗硅的制备 ??粗硅　又称工业硅或结晶硅（冶金级硅），纯度在95％?99％。这种硅是石英砂在电炉中用碳还原方法冶炼而成的。 ??反应要点：高温1600℃?1800℃ ??原因：SiO2(s)十2C(s)＝Si(s)十2CO(g) ??粗硅中杂质多，主要有Fe、Al、C、B、P、Cu 等，其中Fe 含量最多。可用酸洗法初步提纯，高纯硅还需进一步提纯。 3、单晶硅的制备 多晶硅主要产品有棒状和粒状两种。制备单晶硅，一方面是晶化（让硅原子排成金刚石结构），另一方面也有提纯作用（分凝效应）。 区熔(FZ) 法 直拉法(CZ) ：将多晶硅融解 后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的 8寸 硅晶棒，约需 2天半时间长成。 区熔单晶硅(FZ-Si) 主要用于制作电力电子器件(SR、SCR、GTO等)、射线探测器、高压大功率晶体管等；直拉单晶硅(CZ- Si) 主要用于制作LSI、晶体管、传感器及硅光电池等。 浇注多晶硅、淀积和溅射非晶硅主要用作各种硅光电池等。 2.4 多晶硅材料相关产业链产品 半导体用硅材料产业链 硅系太阳能电池产业链 * * 固体材料：超导体: 大于106(?cm)-1 导 体: 106~104(?cm)-1 半导体: 104~10-10(?cm)-1 绝缘体: 小于10-10(?cm)-1 ？什么是半导体 从导电特性和机制来分： 不同电阻特性 不同输运机制 半导体 掺入某些元素的微量原子能灵敏改变其导电性。 温度 、光照、压力等外界因素会使其导电能力大增。 硅的原子最外层有四个电子，每个原子和邻近的四个原子以共价键结合，组成一个正四面体。每个硅原子可以看成是四面体的中心（金刚石结构）。 金刚石结构 2.1 重要的半导体材料——硅 ? ??? ???? 用扫描隧道显微镜观察到的硅晶体表面的原子排列 硅材料是当代电子工业中应用最多的半导体材料，它还是目前可获得的纯度最高的材料之一，其实验室纯度可达12 个“9”的本征级，工业化大生产也能达到7～11个“9”的高纯度。 单晶硅片（晶圓） 半导体芯片等 ＞9N SEG-Si （EG-Si） 半导体级硅 （电子级） 太阳能电池等 ～6N SOG-Si 太阳级硅 炼合金及化工等 2N MG-Si 冶金级硅 炼合金 1N AG-Si 合金级硅 主要用途 杂质总含量 英文缩写 名称 随着纯度上升，成本呈指数上升 各种硅材料的电子迁移率 单晶硅锭及硅片 非晶硅及多晶硅 ?2.3 硅材料的制备 由于硅的纯度对芯片或太阳电池有很重大的影响，所以工业生产要求使用高纯硅，以满足器件质量的需求。在硅材料的提纯工艺流程中，一般说来，化学提纯在先， 物理提纯在后。原因是：一方面化学提纯可以从低纯度的原料开始，而物理提纯必须使用具有较高纯度的原料；另一方面是化学提纯难免引入化学试剂的污染，而物理提纯则没有这些污染。 概况　由硅石?粗硅?高纯多晶硅（纯度在99.9999999％以上）?单晶硅 2． 多晶硅的制备 ??由粗硅合成SiHCl3 （改良西门子法）或SiCl4或SiH4中间体，精馏提纯后，用氢气还原或热分解而制得多晶硅 ??三种方法各有特点，改良西门子法是当前制取多晶硅的主要方法 ??SiHCl3的制备　多用粗硅与干燥氯化氢在200℃以上反应 Si十3HCl==SiHCl3+H2 除生成SiHCl3外，还可能生成SiH4、SiH3Cl、SiH2Cl2、SiCl4等各种氯化硅烷，其中主要的副反应是 2Si十7HCl＝SiHCl3十SiCl4十3H2 ?? SiHCl3性质　又称硅氯仿，结构与SiCl4相似，为四面体型。SiHCl3稳定性稍差，易水解 SiHCl3十2H2O==SiO2十3HCl十H2 ??注意要点 (1)合成温度宜低