B位掺杂Bi4Ti3O12地研究.pdfVIP

2005年lO月 四川大学学报(自然科学版) Oct．2005 of Siehuan Science V01．42 第42卷增刊2 Joumal Edition) Issue2 University(Natural 文章编号：0490—6756(2005)072-0292—04 B位掺杂Bi4Ti3012的研究” 顾骏，李伟，吕笑梅，朱劲秘 (南京大学固体微结构国家重点实验室，南京210093) 能进行了测量．发现B位掺杂．-q-以显著增加陶瓷的2只，同时可以改善抗疲劳性能研究结果 表明掺杂离子半径和价数都对剩余极化有一定影响，此外掺杂离子和氧离子的电子轨道杂化 也会影响材料的剩余极化． 关键词：铁电；钛酸铋；B住掺杂 中图分类号：0487。0482．4文献标识码：A 引言 不含铅的铋系层状钙钛矿型铁电材料被公认为是替代含铅铁电材料作为各种探测器以及非挥发性铁 电性能L2 J．很多研究者尝试了使用各种不同离子对BTO进行掺杂，试图改善其铁电性能．Park等人报道 如妒+，Nb5+，w6+【”“1掺杂，可以显著地增大B并且可以改善其疲劳性能．然而同价离子掺杂除了张 善涛等[13】使用较高含量Zr掺杂以外几乎没有见过其他文献报道．我们主要研究了B位掺杂zr4+，H14+， Nb”的BTO陶瓷材料，弗且探讨了B位掺杂的机制． 2样品制备与测试 后用磁控溅射方法制备上下电极．测量晶体结构的设备为Rigaku 仪． 3实验结果与讨论 经过对大量文献的调研，我们发现B位掺杂的BTO的铁电性能在掺杂含量大约为2％时最好，之后 收稿日期：2005．08—31 BK 基金项目：国家自然科学基金；江苏省自然科学学基金(BK 2002410) 作者简介：顾骏(1981一)，男，2003级硕士研究生． *通讯作者，E—mail：jszhm@nju．edu．cn． 增刊2 顾骏等：B位掺杂Bi4Ti30t2的研究 随掺杂的含量增加其铁电性能逐渐变差[8～1…，这相对于A位最佳掺杂点含量在25％2E右的情况来说是 很小的数值我们主要研究了掺杂含量在0．6％的一系列B位掺杂啪陶瓷的各种性能． ’ 图1为BTO，BTZ。BTH和BTN陶瓷的X-ray散射 图样，从图上可以看出，掺杂并没有导致晶体结构的变化， 仍然保持和BTO相同的晶体结构，同时也没有杂相的产羔 生． { 立 图2左上角的插图表示了BTO陶瓷在不同频率下的童 介电损耗随温度变化的情况．在温度300～650K和频率毛 100Hz--1MHz范围内都可以观测到一个明显的弛豫峰§ 伴随着频率的升高，这个弛豫峰的峰温也在升高同时峰高‘ 也有一定的上升．Shulman等[16]，Yao等[10]，Ll等[”】把这 个峰的形成归结于氧空位在晶格中不等价位置的移动．那 么根据点缺陷的弛豫理论u3J。可以认为这个蜂的高度和 氧空位的浓度有关，浓度越高峰高也越高·图2显示了频图1 。 率在I000Hz下BTO，BTZ，BTH和BTN陶瓷的介电损 耗随温度的变化情况．从图中可以明显看出，BTO，BTZ，BTH3种材料的峰高大致相同，而BTN的峰高 很低．这是由于Nb5+离子的价数要高于T中+．考虑到材料需要保持电中性，可以显著降低氧空