GaInAsSb低维材料分子束外延生长和器件研究1.pdfVIP

MBE2013 大会邀请报告 P1-3 GaInAsSb 低维材料分子束外延生长及器件研究1 牛智川, 李密锋, 喻颖, 王娟，王莉娟, 查国伟, 邢军亮，徐建星, 向伟，尚向军, 王国伟，徐应强，任正伟，贺振宏，倪海桥 中国科学院半导体研究所，半导体超晶格国家重点实验室，北京 100083 我们利用分子束外延技术，开展了GaAs、GaSb 基GaInAsSb 量子点、量子阱、超晶格等 多种低维结构的外延生长，及其单光子发射器件、红外激光器和探测器的制备研究。采用 Gen II 分子束外延系统发展了一种原位临界参数控制技术，大幅度提高低密度量子点生长 成功率。对两个空间间隔为40um 的InAs 单量子点的光子散射场与场、光子与光子相关性测 试中，发现单光子相干散射干涉可见度达20%，两个不同量子点发射的光子具有不可分辨性， 双光子干涉可见度达 40%。采用淀积 Ga 液滴在纳米线侧壁生长出量子点、量子环、量子双 核等新奇结构。基于GaAs 纳米线侧壁InAs 量子点，设计了一种新型分叉纳米线腔结构，并 研究了其单光子发射效应。 采用VG80H 系统在GaSb