InP基HEMT结构材料气态源分子束外延生长探析.pdfVIP

MBE2013 口头报告 S5-3 InP基HEMT 结构材料气态源分子束外延生长研究 周书星 滕腾 艾立鹍 徐安怀 齐鸣 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室 电话：0218214，Email: sxhou@mail.sim.ac.cn InP 基高电子迁移率晶体管——High Electron Mobility Transistor （HEMT）以其优 越的电气性能，在高速、高频领域里具有重要应用前景[1-3]。因为δ 掺杂技术可以提高掺 杂面密度，减少栅极到沟道距离和改善肖特基特性，因此对于促进 HEMT 的发展起到了重要 作用。Hueschen 和 Chen 等人证实：δ 掺杂技术应用在 HEMT 中可以实现高漏电流，提高内 本征跨导和栅极击穿电压，改善阈值电压等优势[4]。然而 Si-δ 掺杂层在层与层之间扩散 [5]，掺杂杂质并不一定 100%