两端结构中长波同时响应型双色量子阱红外探测器.pdfVIP

第卜E届全国卓导体物理学术台议泛史集 中陶·长春2009年8月16口一如R 两端结构中长波同时响应型双色量子阱红外探测器 霍永恒。，马文全。，刘小宇1，张艳华1，种明。，畅涛。．陈怠惠1，史衍丽2 中科院半导体研究所纳米光电子实验室北京市海淀区清华东路甲35咛100083 2．昆明物理研究所 引言： 传统的瑕色量子阱红外探测器为了实现双色同时探测，往往采用三端结构器件，即每个 像元上制作3个电极，通过3个铟柱与读出电路倒装互联．这会使焦平面阵列的填充因子减 小，并且面阵较大时，因为铟柱数日极多，其后续工艺十分复杂．往往使面阵均匀性及成品 率B晕低。本文中我们撤道了‘种两端结构的中长波同时响应酗双色量子阱红外探测器，该器 件能够同时读取中长波双色信息，但每个像元只需两个电极，这将使面阵器件与读出电路耳 联时每像元仅需一个锢柱(另一端可通过公共电极与读出电路相连)，因而制作大而阵器件 时后续工艺人为简化，且只需使用单色读出电路即可实现积色探测．降低了对读出电路的要 求。文中介绍了其材料争长和器件制作 技术，进打r单管测量，井对其工作原 理进行了分析。 巴 吐 1．实验 田。i。 1 1材料生长和器件制作 中长波同时响应型双色量子阱红外 探测器材料生长利用MBE实现。其结构Figl#件结构(^)两端结构器什，(B)二端机构 为一中波多量子阱红外探测器 器件 (MWQWIn和一长波多量子阱红外掬{ 测器(LWQWIP)组成的叠层结构，中间 通过11型GaAs欧姆接触层连接，上下 均有n型GaAs欧姆接触层用来连接外；∞“ m 部偏置电压。生长出来的材料通过标准 光刻和湿法刻蚀工艺制成像元大小为 500x500JIIIl2的两端结构器件，其单元器 件结构如图Fi91(A)所示。其上接触 ；越。 电极I和下接触电极2均为Au／Ge．／Ni 台金。 1．2光电流谱测量 将村底抛有45“光耦台面的单元器 Fi92光电流谱(正偏压指电压l相对于2为正) 件置于液氮冷却的杜瓦冷头L(温度 80K)．利用傅里叶红外变换光谱仪(FTIR)在快速扫描模式下测量其光电流谱如陶Fi92所 示。儿Fi92可见，该探测器在0V到5V电压范围内能l可时响应中长波积色信息，响应峰值 kl的响应基本相同。 2．实验结果分析 第十七届全国半导体物理学术会议论文集 中国·长春2009年8月16日．20日 对于一个给定的量子阱红外探测器，当材料参数，器件结构和工作环境确定后，调节其 响应状态最灵活的量便是偏置电压。将该双色量子阱红外探测器处理成如图Fi91．(B)所示， 分别测量其中波量子阱红外探测器(3．2)和长波量子阱红外探测器(1-3)的光电流大小(此 处光电流定义为红外辐照下的电流减去暗电流)。为了使双色量子阱红外探测器能够同时在 中长波两个波段得到相近的响应，必须保证分配在其两个成员探测器上的电压能够保证他们 处在响应相近的工作状态。分别测量不同总偏置电压(1-2)下，电压在两个成员探测器之间 (1-3，3．2)的分配关系，然后比较对应分压下各自光电流大小可得到与Fi醇．图中一致的结 果。由此可知巧妙设计探测器结构，并控制外延生长过程以使其总电压在两成员探测器上得 到合适分配是得到双色同时探测的关键。 3．结论 我们报道了一种两端结构的中长波同时响应型双色量子阱红外探测器，其能同时响应中 长波两个大气窗口的红外信息。该器件结构使双色量子阱红外探测器的制作工艺大为简化， 有望提高面阵器件成品率，降低成本，推动大规模面阵器件的发展。