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BATTERY 设计说明 1.电池的分类： 1.1 按装配形式 分: 内置式和外置式 B.超声波式. 不能翻修，但超声可适当校正胶壳缺陷，尺寸稳定。 1.2依据电芯分为: 锂离子电池和锂聚合物电池(具体结构见下图) 锂离子电池 锂聚合物电池 2. 保护电路简介 2.1 保护电路基本构成 分控制电路、控制开关和保护器三部分： 另，部分保护电路还有温度保护、识别功能： 2.2线路板简要介绍 2.2.1 线路板分立元件图 2.2.2 元器件简介 2.2.3 元器件简要尺寸 2.2.4 常见的PACK 连接片（金手指）样式 2.3单节保护电路工作原理 2.3.1 应用电路（以理光R5421N系列为例） 2.3.2 工作状态说明 a、正常状态：IC的电源电压介于过放电保护电压VDET2和过充电保护电压VDET1之间，DOUT端和COUT端的输出皆为高电平，充、放电MOSFET处于导通状态，电池充放电都可进行； b、过充电状态：充电时，若电池电压升高使VDD≥VDET1，经过tVDET1的延时后，COUT 端变成低电平，将充电控制MOSFET关断，停止充电； c、过充保护解除条件：当VDD降低至过充解除电压VREL1以下（不接负载）或VDD降低至过充电关断电压VDET1以下（加上负载），即可恢复到可充电状态； d、过放电状态：当电池放电至电压等于或低于VDET2，并经过tVDET2的延时后，DOUT端变成低电平，控制放电控制MOSFET关断，停止电池向负载放电。充电电流仍可通过二极管流通。 e、过放保护解除条件：当VDD上升至过放解除电压VREL2以上（不接充电器）或VDD上升至过放电关断电压VDET2以上（接充电器），即可恢复到可放电状态； f、过流保护：在放电时，因负载变化会导致放电电流变化，放电电流增大时 V-的电压会升高，当V-≥VDET3，并且经过tVDET3的延时后，DOUT端的输出变 为低电平，关断放电回路。解除过流状态后，使V-VDET3电路恢复正常。 g、短路保护：短路保护与过流保护相似，不同的是tSHORT远小于tVDET3 ，VSHORT 远大于VDET3。当发生短路时V-迅速增大，当V-≥VSHORT且经过tSHORT后，DOUT端出变为低电平，关断回路。解除短路状态后，使V-VSHORT电路恢复正常。短路峰值电流取决于充放电MOSFET导通电阻和PCB布线电阻及VSHORT。 注：VDET1—过充电检测电压，VDET2—过放电检测电压，VDET3—过电流检测电压，tVDET1--过充电检测延时，tVDET2--过放电检测延时，tVDET2--过电流检测延时，V--保护IC的V-脚对VSS脚的压降，VSHORT-短路保护检测电压，tSHORT-短路保护检测延时； 2.3.3 工作过程说明： 1)、充电过程 接上充电器，充电电流经P+、保护器对电芯充电，经MOS管、P-回到充电器，随着充电不断进行电芯电压逐步上升。当电芯电压上升到VDET1，保护IC通过VDD、VSS检测到此电压，经过tVDET1的延迟后，COUT端变成低电平，充电MOS管关断，充电截止。 注：当VDD电压降低至过充解除电压VREL1以下（不接负载）或VDD降低至过充电关断电压VDET1以下（加上负载），即可恢复到可充电状态； 2)、放电过程 当输出端接上负载，电芯经保护器、 P+对负载放电，放电电流经P- 、 MOS管回到电芯。随着放电不断进行电芯电压逐步下降。当电芯电压下降至VDET2，保护IC检测到此电压，经过tVDET2的延迟后，DOUT端变成低电平，放电MOS管关断，放电截止。 注：(1)对无休眠功能的IC：当VDD电压上升至过放解除电压VREL2以上(不接充电器)或VDD电压上升至过放电关断电压VDET2以上(接上充电器)，即可恢复到可放电状态； (2)对有休眠功能的IC：需接充电器且VDD电压上升至过放电关断电压VDO以上，才可恢复到可放电状态； 3)、过电流过程 放电过程中负载变化，当负载电流过大，IC的V-端检测的电压达到VDET3时，经过tVDET3的延迟后，DOUT端变成低电平，放电MOS管关断，过电流截止。 4)、短路保护过程 当P+、P-短路，回路中的电流急剧增加，IC的V-端检测的电压达到VSHORT时，经过tSHORT的延迟后，DOUT端变成低电平，放电MOS管关断，进入短路保护状态。