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目 录
报告内容概要 1
第 1 章 概 述 2
第2 章 功率半导体器件领域专利分析 3
2.1 全球专利发展趋势分析 3
2.2 首次申请国家/地区分析 5
第3 章 IGBT 领域专利申请分析 8
3.1 全球专利申请现状 8
3.1.1 发展趋势分析 8
3.1.2 IGBT 结构的技术发展路线 11
3.1.3 申请人分析 17
3.2 中国专利申请现状 20
3.2.1 中国专利申请概况 20
3.2.2 技术功效分析 21
第4 章 SIC 器件专利申请分析 29
4.1 全球专利申请现状 30
4.1.1 技术生命周期分析 30
4.1.2 技术构成分析 35
4.2 MOSFET 栅氧化膜技术分析 36
4.2.1 发展路线分析 36
4.2.2 中国申请技术布局 41
第5 章 英飞凌公司专利申请分析 44
5.1 首次申请及目标国家/地区分布 44
5.2 COOLMOS 核心专利分析 46
第6 章 主要结论 50
6.1 功率半导体器件领域整体结论 50
6.2 IGBT 领域结论 51
6.3 SIC 器件领域结论 52
6.4 重点申请人结论 53
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报告内容概要
功率半导体器件在其发展的初期（上个世纪60-80 年代）主要应用于工业和电力系统。
近二十年来，功率半导体的应用已经渗透到国民经济与国防建设的各个领域。随着世界各国
对节能减排的需求越来越迫切，功率半导体已从传统的工业控制迈向新能源、轨道交通、智
能电网、变频家电等诸多行业。国务院、发改委、工信部等部门均制定了一系列的政策来扶
持功率半导体器件相关企业。在市场竞争格局方面，在目前中国功率器件市场上，国外厂商
占绝对优势。
本报告主要采用定量分析和定性分析相结合的方式，宏观上对功率半导体器件领域专利
申请进行总体分析，微观上对关键技术 SiC 器件以及重要申请人英飞凌公司进行了重点分
析。本报告数据均采集自国家知识产权局专利检索与服务系统，数据截止时间为2012 年4
月30 日。由于报告中专利文献的数据采集范围和专利分析工具的限制，加之水平有限，报
告的数据、结论和建议仅供社会各界借鉴参考。希望社会各界进一步利用报告，同时欢迎社
会各界多多批评指正。若有任何建议和意见，请您发送邮件至：chuzhanxing@ 。
感谢您的关注。
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第1章 概 述
功率半导体器件（Power Electronic Device ）又称为电力电子器件和功率电子器件，是用
于电能变换和电能控制电路中的大功率电子器件。功率半导体器件是电力电子技术的基础，
是电力电子设备的构成核心，它的特性和应用方法直接影响着电力电子系统的性能价格和可
靠性。
功率半导体器件在电力电子技术中作为开关元件，应具有开关速度快、承受电流和电压
能力大( 即容量大)和工作损耗小等特性。理想的电力电子半导体器件在断态时应能承受很高
的电压，并且漏电流很小；在通态时能有很高的电流密度，并且压降很低；在断态和通态间
又能很快地转换；在导通时能限制电流的上升率，在电路事故状态下无需外电路元件的帮助
也能限制电流。电力电子技术发展，不仅要求电力半导体器件具有自关断的特性，以简化控
制电路；而且还要求电力电子器件可集
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