Angular Effects on F＋ Etching SiC MD Study.pdfVIP

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2017-08-19 发布于湖北
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Angular Effects on F＋ Etching SiC MD Study.pdf

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PlasmaScienceandTechnology,Vo1．14，No．12，Dec．2012 AngularEffectson F+Etching SiC：M D Study CHENXu(陈旭)，TIANShuping(田树平)，HEPingni(贺平逆)l1， ZHAOChengli(赵成利)。，SUNWeizhong(孙伟中)，ZHANGJunyuan(张俊源)， CHENFengf陈峰)，-，G0UFujun(苟富均)，0 InstituteofNuclearScienceandTechnology．KeyLabofRadiationPhysics Technology MinistryofEducation，Sichuanuniversity，Chengdu610064，China 0InstituteofPlasmaSurfaceInteractions，GuizhouUniversity，Guiyang550025，China 0F0M InstituteforPlasmaPhysics 3439M N Nieuwegein，theNetherlands AbstractMoleculardynamicsfMD1simulationswereperformedtoinvestigateF continu— ouslybombardingSiC surfaceswithenergiesof100eV atdifrerentincidentanglesat300K．The simulated resultsshow thatthesteady—stateuptakeofF atom sincreaseswith increasingincident angle．W ith thesteady—stateetchingestablished．aSi_C—F reactivelayerisofrmed．Itisfound thattheetchingyield ofSiisgreaterthanthatofC．IntheF—containingreactionlayer，theSiF speciesisdominantwithincidentangleslessthan30。．Foral1incidentangles．theCF speciesis dominantoverCF2andCFa． Keywords：moleculardynamicsmethods，plasmaetching，SiC PACS：52．65．Yy,81．65．Cf,52．77．Dq DOh 10．1088／1009—0630／14／12／12 1 Introduction 2 M ethodsand com putational description Dueto excellentselectivity and high etchingrate， plasmadry etchingiswidely employedforSiC device TomodelF+etchingSiC，Tersoff-Brennerpotentials fabrication [1 51 ． However．due to the complex and improvedby GRAVESandABRAMS wereemployed． highly coupling nature between plasma and surfaces Thereactiveempiricalbo