微通道板中电子时间倍增特性的数值模拟.pdfVIP

第 21卷第 1O期 强 激 光 与 粒 子 束 Vol_21，No．10 2009年 1O月 HIGH POW ER LASER AND PARTICLE BEAMS Oct．，2009 文章编 号 ： 1001—4322(2009)10—1542—05 微通道板 中电子时间倍增特性的数值模拟 蔡厚智， 刘进元， 牛丽红， 廖 华， 周军兰 (光 电子器件与系统(教育部 、广东省)重点实验室 ，深圳大学 ，深圳 518060) 摘 要 ： 对微通道板 的动态特性进行 了数值模拟 ，得到了电子的渡越时间与入射时刻的关系曲线 。获得 了光 电子的倍增次数随入射时刻而变化 ，并在考虑 了入射 电子为一高斯 电子脉冲的情况下，分析了选通脉冲的 幅度 、宽度和波形对选通特性的影响。结果表 明：随着倍增次数增多，渡越时间越大；当电压幅度不 同时，增益 曲线的峰值所对应 的电子入射时刻也不 同。 关键词 ： 微通道板 ； 渡越时间； 入射时刻 ； 曝光时间； 分幅相机 ； 惯性约束聚变 中图分类号 ： TN223 文献标志码 ： A 对激光核聚变等物理现象的研究要求分幅相机具有很短的曝光时间，为 了研究缩短曝光时间的方法 ，必须 对微通道板 (MCP)在 ps高压脉冲下的选通特性有深入 的了解 ，因而本文对 MCP中电子的时间倍增特性进行 了数值模拟 。MCP于 1958年 由G．W．Goodrich和w．C．Wiley首先研制成功并发展起来_1]，由于具有很高的 电子增益 ，它被广泛应用于微弱信号的测量 中 ]，特别是近年来作为快 门元件在 ps分幅摄影中受到高度重 视 口]。1979年，E．H．Edward提出了基于 “能量正 比假设”的MCP增益模型 ，该解析模型与实验结果吻合较 好[6]，由此推导 出：电子碰壁次数与MCP两端所加电压无关，且 MCP增益与所加电压的关系在双对数坐标下 呈直线[6]。随后 ，常增虎提出 “能量正比假设”可能仅适用于入射电子能量较小 的情况 ，由于首次碰撞时，x射 线光子的能量很大，因此该假设不再适用，并给出了一个修正公式=l7]。在首次碰撞与随后 的碰撞被区分开来 后 ，得出碰壁次数与 MCP上所加电压有关 ，且与首次碰撞的二次 电子的初能量也有直接关系的结论 ，并数值 模拟了在 MCP两端加高斯电压时的MCP选通特性 [8]。以上 的研究结果都是在 1个入射 电子或光子的情况 下获得的。本文基于 “能量正 比假设 ”，对 MCP中电子的渡越时间特性和入射的电子为高斯 电子脉冲时的 MCP倍增特性作了讨论 ，得到 了渡越时间曲线和增益曲线，并给出了相关 的结论。 l MCP中电子 的运动过程分析 MCP内电子的运动过程如图 1所示 。在 MCP两端施加电压时，从通道负电压端入射的电子轰击通道内 壁产生二次电子。这些二次电子在通道 内电场 的加速 作用下沿着通道向前传输并再次与通道内壁发生碰撞 ， 产生新的二次电子 ，并重复该过程直至从通道 出口端射 出。 若 MCP端面所加电压为 VM ，对于运动轨迹与微 Fig．1 Schematicdiagram 0fmultiplicationofelectronsinMCP 通道板轴线相交的电子来说 ，在与 MCP相邻 的2次碰 图1 微通道板中电子倍增 的示意图 撞间，其在 MCP内运动的轴向长度为 △一、 — (￡斗一ti)+fHLJlJ(VMcP+Ve)dtdr (1) t J t 式中：e，m分别为电子的电荷量和质量 ；e 为二次电子平行于微通道板轴线方 向的初始能量 ；r为积分变量 ， 表示一个时刻 t，t…分别为电子第 i次 ，第 +1次与通道壁相碰的时刻 ；L为微通道板长度；Va为微通道板两 端所加直流偏置电压。 由于式(1)中，第一项远远小于第二项[6]，因而 Az可用如下的近似公式求 出 △≈ I(M+Vd)dtdr