模拟电子技术 教学课件 作者 曾瑄 第1章.ppt

模拟电子技术 第1章 半导体器件 1.1 半导体的特性 1.2 半导体二极管 1.3 半导体三极管 1.4 场效应三极管 各种电子线路最重要的组成部分是半导体器件。本章讨论半导体的特性和PN结的单向导电性，然后分别介绍半导体二极管、稳压二极管、双极性三极管以及场效应管的结构、工作原理、特性曲线、主要参数和等效电路。 1.1 半导体的特性 自然界中的物质，依其导电能力的强弱，通常可分为3大类：导体、绝缘体和半导体。电阻率低于10-4Ω·cm的物质为导体，如铜、铝等。导体原子的最外层电子数目少，很容易摆脱原子核束缚而形成自由电子，在外电场作用下，这些自由电子将逆着电场方向作定向运动形成较大的电流，因此导体的导电能力强。 把在电场作用下，能运载电荷形成电流的带电粒子称为载流子，显然自由电子是一种载流子。电阻率高于109Ω·cm的物质为绝缘体，如云母、橡胶等，最外层电子数大多为8个的稳定结构，其原子核对最外层电子的束缚力很大，常温下能形成自由电子的数目很少，因此导电能力差。半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间，如硅、锗等。制造半导体器件的材料都要制成单晶体，如单晶硅或单晶锗，它们是由原子按一定的规则整齐地排列（空间点阵）而成的，由于这种半导体非常纯净，几乎不含杂质，结构又完整，所以称为本征半导体。 半导体的导电性能同样与其原子结构有关。硅和锗的原子结构有一个共同点，即都是四价元素，其原子的最外层电子数都是4个，原子的最外层电子通常称为价电子。价电子受核的束缚力最小，半导体的导电性能与价电子有关，内层电子与原子核构成稳定的惯性核，若用+4代表惯性核所具有的电荷量，则可以用图1.1表示硅或锗的简化原子结构模型。 硅或锗制成单晶体后，由于晶体中原子之间距离很近，价电子不仅受到其所属原子核的作用，还受到相邻原子的原子核的吸引，即一个价电子为相邻的两个原子核所共有。如图1.2所示，这样，相邻原子之间通过共有价电子的形式而紧密结合起来，即形成“共价键”结构。 1.1.1本征激发 本征半导体晶体原子间的共价键具有很强的结合力，在绝对零度（-237℃）时，价电子无法挣脱共价键的束缚，不能自由移动，所以共价键内的价电子又叫束缚电子，这样虽然有大量的价电子，但没有自由电子，此时，半导体不导电。 当温度上升或受光照时，价电子以热运动的形式不断从外界获得一定的能量，少数价电子因获得的能量较大，而挣脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在原来的共价键的相应位置上留下一个空位，叫“空穴”，如图1.3的A处为空穴，B处为自由电子，显然，自由电子和空穴是成对出现的，所以称它们为电子—空穴对。把在光或热的作用下，本征半导体中产生电子—空穴对的现象，叫本征激发。 本征激发产生的自由电子将在电场的作用下定向运动形成电流，因此它构成本征半导体中的一种载流子——电子载流子。 那么当共价键中由于失去一个价电子而出现一个空穴时，如图1.3中A处，与其相邻的价电子很容易离开它所在的共价键填补到这个空穴中来，使该价电子原来所处的共价键中出现一个空穴，如图1.3中C处，这样空穴便从A处移至C处。 同样，又可从C处移至D处，因此，空穴似乎可以在半导体中自由移动，这实质上是价电子填补空穴的运动。在电场作用下，大量的价电子依次填补空穴的定向运动形成电流，为区别于自由电子的运动，把这种价电子填补空穴的运动叫“空穴运动”。通常认为空穴是一种带正电荷的载流子，它所带电量与电子相等，符号相反。那么为什么不说是价电子的运动，而说是空穴的运动呢？这是因为本征半导体的导电能力只取决于电子—空穴对的多少，而与其价电子的数目无关，只有少量的价电子在共价键中依次作填补运动才起导电作用。 可见，在本征半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。而金属导体中只有一种载流子——自由电子，这是二者的一个重要区别。在本征激发中，半导体中的电子—空穴对不断地产生，同时当它们相遇时又重新被共价键束缚，电子—空穴对消失，这种现象叫“复合”。在一定的温度下，激发和复合虽然不断地进行，但最终将处于动态平衡状态，半导体中的载流子浓度保持在某一定值。由于本征激发产生的电子—空穴对的数目很少，因此本征半导体的导电能力很弱。 1.1.2掺杂特性 在本征半导体中掺入少量的特殊元素，就构成杂质半导体。杂质半导体的导电能力大大增强，且掺入的杂质越多，其导电能力越强，这就是半导体的掺杂特性。当然，掺入的杂质是有严格控制的，根据掺入杂质化合价的不同，杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两大类。 1. N型半导体 在四价元素晶体中掺入微量的五价元素，如磷、砷、锑等。组成共价键时，多余的一个价电子处于共价键之外，束缚力较弱而成为自由电子，同时杂质原子变成带正电荷的离子。显然掺入的杂质越多，杂质半导体的导