模拟电子技术 教学课件 作者 吴荣海 第1章 半导体二极管三极管.pptVIP

第一章 半导体二极管和晶体管 1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 实训：二极管的识别与检测 1.5 晶体管 1.2.1二极管的结构和类型 将PN结加上相应的电极引线和管壳，就成为半导体二极管。P区对应的称为阳极（或正极），N区对应的称为阴极（或负极）。 二极管的常见外形 阳极 阴极 结构 符号 类型 按材料分： 硅二极管和锗二极管 按结构分： 点接触型和面接触型 按用途分： 发光管、整流管、稳压管等 按功率分： 按封装分： 金属封装、塑料封装等 大功率管、小功率管 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN结 面接触型 1.2.2 二极管的伏安特性 下图为硅二极管和锗二极管的伏安特性。其中实线部分为硅管特性。 1、 正向特性 当正偏电压很小时，正向电流很小，这时二极管实际上没有导通，呈现很大的电阻，这部分正向特性称为死区。只有当正向电压达到一定值（这个值称为死区电压）后，正向电流按指数规律增大，二极管处于导通状态。室温下，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.1V。 二极管导通后曲线陡直，表明二极管导通时呈现电阻很小，电流变化范围很大，而其两端电压变化很小。二极管充分导通时的两端电压称为导通电压，硅管的导通电压约为0.6～0.7V，锗管的导通电压约为0.2～0.3V。 2、反向特性 反向电压在相当大的变化范围内，反向电流数值很小，管子处于反偏截止状态，呈现电阻很大，且当环境温度不变时，反向电流几乎不变，该电流称为二极管的反向饱和电流。通常小功率硅管的反向饱和电流约为10-3～10-10μA,而锗管的约为1～10-2μA。当温度升高时，反向饱和电流的数值增大。 3、反向击穿特性 当二极管的反向电压增大到一定值后，其反向电流会急剧增大，发生二极管的反向击穿现象，发生击穿时的电压称为反向击穿电压（用UBR表示）。只要采取限流措施，就能保证二极管的电击穿不会变成热击穿而损坏。 由于二极管内部实质上是PN结，所以它的特性对温度很敏感。当温度升高时，扩散运动加强，正向电流增大；此时本征激发的少子数目迅速增加，所以反向电流剧增。在室温附近，温度每升高1℃，正向压降减小2～2.5mV；温度每升高10℃，反向电流约增大1倍。 4、温度对二极管伏安特性的影响 1.2.3 二极管的主要参数 （1） 直流电阻RD 二极管两端所加的直流电压UD与流过管子的直流电流ID之比，称为二极管的直流电阻(也称静态电阻)，即 （2）反向电流IR 二极管在反向截止时的电流值。这个值越小，二极管的单向导电性越好。IR随温度的升高而迅速增加。 （3）交流电阻rd 在静态工作点Q附近，二极管两端电压变化量ΔuD与流过二极管的相应电流变化量ΔiD之比,即 （4）最大整流电流IF 二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。 （5）最大反向工作电压URM 二极管在使用时，允许加在它两端的反向电压的峰值。URM一般为二极管反向击穿电压的一半。 （6）最高工作频率? M 二极管具有单向导电性的最大工作频率。当工作频率超过? M时，二极管将逐渐失去单向导电性。 1.3.1 稳压二极管 1.稳压管的稳压作用及其伏安特性 构成 特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管 稳压原理 很大的电流变化量只引起很小的电压变化 a）伏安特性 b）符号 c）接法 2. 主要参数 (1)稳定电压UZ 是指稳压管中的电流为规定值时，稳压管两端的电压值。由于制造工艺的原因，同一型号管子的UZ存在较大的分散性，值得注意的是，对一个稳压管来说，某一工作电流时的稳定电压只有一个确定的值。 (2)稳定电流IZ 是指稳压管工作在稳定状态下的工作电流，其范围为IZmin～IZmax，即在最小稳定电流和最大稳定电流之间。 （3）耗散功率PZM 是指稳压管不产生热击穿所允许耗散功率的最大值，PZM=UZ IZmax （4）动态电阻rz 是指稳压管工作在稳压状态，其两端电压变化量和相应电流变化量之比，即，rZ就是稳压管的交流电阻，其值越小，稳压效果越好。 1.3.2 发光二极管 发光二极管简称LED，是一种利用正偏时PN结两侧的多子直接复合释放出光能的光发射器件，它工作在正偏状态，管压降约1.5～2.2V左右。正向工作电流，一般为几毫安至十几毫安，管子的发光强度基本上跟正向电流成线性关系。  a）符号