模拟电子技术 教学课件 作者 吴荣海 第3章 场效应晶体管及其放大电路.pptVIP

第3章 场效应管及其放大电路 * * 作者 吴荣海 3.1 结型场效应晶体管 3.2 绝缘栅型场效应晶体管 3.3 场效应晶体管的主要参数与比较 3.4 场效应晶体管放大电路 3.5 实训 陈奕迅晶体管放大电路的调试 3.1 结型场效应晶体管 3.1.1 结构与图形符号 3.1.2 工作原理 1. uGS对导电沟道的控制作用 2. uDS对iD的影响 3.1.3 特性曲线 1. 输出特性曲线 2. 转移特性曲线 3.2 绝缘栅型场效应晶体管 3.2.1 N沟道增强型MOS管 1. 结构与图形符号 2. 工作原理 N沟道增强型MOS管导电沟道变化情况 3. 特性曲线  a） b） 特性曲线 a）输出特性 b）转移特性 3.2.2 N沟道耗尽型MOS管 1. 结构与符号 2. 工作原理 3. 特性曲线 3.3 场效应晶体管的主要参数与比较 3.3.1 场效应晶体管的主要参数 3． 极限参数 3.4 场效应晶体管放大电路 3.4.1 共源极放大电路 1. 自偏压共源放大电路 1）静态分析 2）动态分析 2. 分压式偏置共源放大电路 1）静态分析 2）动态分析 3.4.2 共漏极放大电路 （3）输出电阻 3.5 实训：场效应管放大电路调试 1. 实训目的 2. 实训器材 3. 实训电路与原理 （1） 可变电阻区uGS一定时，iD随uDS增大而线性上升，场效应管漏源之间可看成一个线性电阻。 饱和区 uGS不变，iD随uDS增大仅仅略有增加，曲线近似为水平线，具有恒流特性。 截止区当uGSuGS(off)时，导电沟道全部夹断，iD≈0，场效应管处于截止状态。  击穿区击穿区是当uDS增大到一定数值以后，iD迅速上升所对应的区域。 1. 直流参数 （1）夹断电压UGS(off)：uDS为某一固定值，使iD等于一个微小电流时的栅源电压uGS。 （2）开启电压UGS(th)：uDS为某一固定值，使iD大于零所需的最小|uGS|。 （3）饱和漏极电流IDSS：uGS=0, uGD大于夹断电压|UGS(off)|时所对应的漏极电流。  （4）直流输入电阻RGS(DC)：栅源电压与栅极电流的比值。 2. 交流参数 （1） 低频跨导 （2）极间电容：场效应管的三个电极间存在着极间电容。 （3）漏极输出电阻 （1）电压放大倍数 式中，R′L=RD//RL负号表示输出电压与输入电压反相。 （2）Ri=RG （3）Ro=RD 1）电路制作 2静态工作点的调试 直流稳压电源的输出为12V接到和地之间。 信号发生器输出10mV、1kHz的正弦波电压接到。 调节输入信号幅度至输出波形失真，调节R使输出波形上下削波程度相同。 去掉输入信号，测量静态工作点。源极电位 漏极电位 3）电压放大倍数的测量 信号发生器输出100mV、1kHz的正弦波电压接到。 断开S，测量和。 接通S，测量和（此时输出电压记为）。 空载 带载 （4）将双踪示波器 接入电路的和端，画出它们的波形。 4）根据以上测得数据计算输出电阻。 5输入电阻的测量保持输入信号不变并接到端，断开开关S。 测量和，填入表中并算出输入电阻。 如果在栅-源之间加正电压，uGS所产生的外电场增强了正离子所产生的电场，则会吸引更多的自由电子，沟道变宽，沟道电阻变小，iD增大；如果在栅-源之间加负电压，uGS所产生的外电场削弱了正离子所产生的电场，吸引自由电子数量少，沟道变窄， 沟道电阻变大，iD减小；当uGS负到一定值时，导电沟道消失，iD=0，此时的uGS值称为夹断电压UGS（off）。 联合以上两式求解，另外由直流通路还可得 UDSQ=UDD-IDQ(RD+RS) （1） 式中，R′L=RD//RL。 （2）Ri=RG+( RG1 // RG2) （3）Ro=RD