模拟电子技术范立南电子教案 第2章 晶体管及其放大电路分析.ppt

模拟电子技术第2章 晶体管及其放大电路分析 范立南 恩莉 代红艳 李雪飞 中国水利水电出版社 结构示意图和符号分别如图2-1和2-2所示。 晶体管的几种常见外形如图2-3所示。 2.1.2晶体管的电流放大作用 1．放大的基本概念 放大作用是一种能量控制作用，放大的对象是变化量，能够 将微小的变化量不失真的放大输出。放大作用是通过放大电 路来实现的，放大电路的核心元件是晶体管。 晶体管具有放大作用所需具备的内部条件：在制造晶体管时 需保证其发射区掺杂浓度高；基区很薄且掺杂浓度低；集电 结面积大。 晶体管具有放大作用所需具备的外部条件：发射结正偏，集 电结反偏。 基本共射放大电路如图2-4所示。 2．晶体管内部载流子的运动 （1）发射区向基区大量注入电子 （2）电子在基区复合和进一步扩散 （3）集电区大量收集电子 2.1.3 晶体管的输入输出特性曲线 晶体管的输入特性曲线是指当晶体管集-射之间电压一定的 情况下，输入回路的基极电流与基-射电压之间的关系曲 线，可以表示为： 晶体管的输出特性曲线是指当晶体管基极电流一定的情况 下，输出回路的集电极电流与集-射电压之间的关系曲线， 可以表示为： 晶体管的输出特性曲线，分为三个工作区：截止区、放大区 和饱和区。 （1）截止区：晶体管的发射结处于反偏或者零偏，集电结 处于反偏时，该晶体管工作在截止区。 （2）放大区：晶体管的发射结处于正偏，集电结处于反偏 时，该晶体管工作在放大区。 （3）饱和区：晶体管的发射结处于正偏，集电结也处于正 偏时，该晶体管工作在饱和区； 当晶体管的发射结处于正偏，集电结处于零偏时，该晶体管 工作在临界饱和状态。 【例2-1】测得三只晶体管的直流电位如图2-8(a)、(b)、(c)所 示，试判断它们的工作状态。 解：图2-8(a)中发射结正偏，集电结也正偏，所以该管工作 在饱和状态。 图2-8(b)中发射结正偏集电结反偏，所以该管工作在放大状 态。 图2-8(c)中晶体管发射结反偏，集电结也反偏，所以该管工 作在截止状态。 2.1.4 晶体管的主要参数 1．晶体管的主要参数 （1）电流放大系数 ①共射直流电流放大系数 ②共射交流电流放大系数： ③共基直流电流放大系数： ④共基交流电流放大系数： （2）反向电流 ①集-基反向饱和电流 是指发射极e开路时，集电结在反 向电压作用下，集-基之间由少子漂移运动形成的反向饱和 电流。 ②集-射反向饱和电流 是指基极b开路时，集电极和发射极 之间的穿透电流。 （3）极限参数 ①集电极最大允许电流 ②集电极最大耗散功率 ③极间反向击穿电压 ：为基极开路时，加在集-射之间的反向击穿电压。 ：为射极开路时，加在集-基之间的反向击穿电压。 ：为集电极开路时，加在射-基之间的反向击穿电压。 2．温度对晶体管参数的影响 （1）温度对反向饱和电流的影响：反向饱和电流随着温度 的升高而增大。 （2）温度对的影响：随着温度的升高，晶体管的输入特性 曲线将左移。 （3）温度对共射电流放大系数的影响：共射电流放大系数 随温度的升高而增大，在输出特性曲线上表现为各曲线间的 间隔增大。 温度对晶体管上述三个参数的影响，集中体现在使晶体管的 集电极电流的增加上。 【例2-2】已知某单管放大电路中，电源电压为25V，现有三 只管子 、 、 ，它们的分别为0.01、0.1、0.05； 分别为50V、50V、20V； 分别为15、100、100， 试问选择哪只管子比较合适。 解：选择 管比较合适。 2.2 晶体管放大电路的分析 2.2.1 晶体管放大电路的性能指标 基本共射放大电路如图2-12所示。 共集放大电路如图2-13所示 共基放大电路如图2-14所示。 晶体管放大电路的主要性能指标有：放大倍数、输入电阻、 输出电阻、非线性失真系数和通频带。 （1）放大倍数是用于衡量放大电路放大能力的主要指标。 通常将输出量与输入量的比值定义为放大倍数，用 表示， 又称为增益。 按照输入量和输出量的不同，放大倍数可分为： 电压放大倍数 电流放大倍数 互阻放大倍数 互导放大倍数 （2）输入电阻 输入电阻是用于衡量一个放大电路从信号源获取信号能力大 小的指标。通