K、Al 共掺杂 Bi2 Te2．7 Se0．3热电材料的制备及性能研究.pdfVIP

o1。86 助 锨 曹孝 抖 2014年第 1期(45)卷 文章编号 ：1001—9731(2014)01—01086—03 K、Al共掺杂Bi2Te2．7Seo．。热电材料的制备及性能研究 段兴凯，胡孔刚，丁时锋 ，满达虎，金海霞，林伟 明 (九江学院机械与材料工程学院，江西 九江 332005) 摘 要 ： 采用真空熔炼和热压烧结技术制备 了K和 一 定程度 上改善 材料 的热 电性能，基于掺杂提高 Al共掺杂 BiTe。Se 热 电材料 。利用 X射线衍射 Bi。Te。基材料热电性能的研究 目前已经取得了一定进 (XRD)、扫描 电子显微镜 (SEM)对样品的物相 结构和 展口。]。利用 3个价 电子数的Al代替 5个价 电子数 表面形貌进行 了表征 。XRD分析 结果表 明，K 的Bi，有利于载流子浓度 的优化 ，从而使 电导率得到进 Bi1。6一AlTe Se 块体材料 的XRD 图谱 与 Bi2Te2．7 一 步提高；另一方面，碱金属原子 的特殊声子模式 ，可 se 的xRD图谱对应一致，SEM 形貌表 明材料组织 以降低 BiTe。基材料的热导率 ，碱金属掺杂也可 以 致密且有层状结构特征。K。-04B 2一Al Te2Se。．。合 有效地提高Seebeck系数 。。本文采用真空熔炼并结 金提 高 了材料 的 Seebeck 系数，K… B 8Al8Te27 合热压烧结方法制备 了 K B 。A1Te Se 和 Se 和 K B Al。。Te Se 大幅度提 高 了材料 的 BiTe Se 块体热 电材料 ，并研究了K、Al双掺杂对 电导率，通过 K和 Al部分替代 Bi，使材料的热导率有 BiTe。Se。。材料热电性能的影响。 不同程度的减小，在 300～500K温度 范围内，K和 Al 2 实 验 共掺杂均较大幅度地提高了BizTe。．Se 的热 电优值。 关键词： 共掺杂；热压 ；微结构 ；热导率 ；热电性能 2．1 样 品的制备 中图分类号 ： TB34 文献标识码 ：A Bi(99．99 )、Te (99．99 )、Se(99．99 )、K DOI：10．3969／i．issn．1OO1—9731．2O14．01．019 (99．5 )和 A1(99．99 )元 素粉末分别依 据 K Bi6… A1厂Te27Se ( 一 0．04、0．08和 0．12)和 1 引 言 Bi。Te。Se 的原子分数称重 ，依次装入石英管并真空 热电转换技术是利用半导体材料 的Seebeck效应 封装 ，在 l073K的温度下熔炼 8h，在熔炼过程 中保 与Pehier效应直接实现热能与电能之间的相互转换 ， 持石英管均匀缓慢转动 ，随炉冷却到室温 ，将熔炼得到 它具有尺寸小、可靠性高、无传动部件、无噪音 、无污染 的合金用玛瑙研钵研磨 ，用 300目的分样筛进行筛选。 等优点，在各种余热废热的回收利用以及空间特殊电 将筛选后的粉末装入石墨模具中进行热压 ，热压温度 源等领域具有广 阔的应用前景u]。在当今世界范围 673K、压力 6OMPa、热压时间1h、真空度为 10。Pa。 化石能源短缺、温室气体排放 、环境污染加剧 的背景 热压后获得 O19．4mm×4mill的块体样品。 下，开发高性能热电材料备受人们的广泛关注。热电 2．2 结构及性能表征 材料的性能优值 ZT是表征热电