模拟电子技术基础 教学课件 作者 陈大钦 秦臻 邹韬平 第02章 半导体二极管及其应用电路.pptVIP

模拟电子技术基础 电子教案 V1.0 2 半导体二极管及其应用电路 2.1 PN结的基本知识 2.1.1 本征半导体及其导电性 2.1.2 杂质半导体 2.1.3 PN结及其单向导电性 2.1.4 PN结电容 2.2 半导体二极管 2.2.1 二极管的结构 2.2.2 二极管的伏安特性 2.2.3 二极管的主要参数 2.2.4 二极管模型 2.3 二极管应用电路 2.3.1 整流电路 2.3.2 限幅电路 2.3.3 钳位电路 2.4 特殊二极管 2.4.1 稳压二极管 2.4.2 光电二极管 2.4.3 发光二极管 * * 陈大钦 主编 华中科技大学电信系 邹韬平 2.1 PN结的基本知识 2.2 半导体二极管 2.3 二极管应用电路 2.4 特殊二极管 2.1.1 本征半导体及其导电性 2.1.2 杂质半导体 2.1.3 PN结及其单向导电性 2.1.4 PN结电容 图2.1.1 本征半导体的共价键结构 2.1 PN结的基本知识 图2.1.2 电子和空穴的移动 1. 本征半导体 2. 本征激发 自由电子 空穴 复合 自由电子 空穴 载流子: 运载电荷的粒子 图2.1.3 N型半导体的共价键结构 2.1 PN结的基本知识 图2.1.4 P型半导体的共价键结构 1. N型半导体 掺入少量的五价元素磷P 2. P型半导体 掺入少量的三价元素硼B 自由电子是多数载流子（简称多子） 空穴是少数载流子（简称少子） 空穴是多数载流子 自由电子为少数载流子。 图2.1.5 PN结的形成 (a) 载流子的扩散 (b) 空间电荷区 (c) 结区电位分布曲线 2.1 PN结的基本知识 1. PN结的形成 图2.1.6 外加正向电压时的PN结 图2.1.7 外加反向电压时的PN结 2. PN结的单向导电性 2.1.3 PN结及其单向导电性 图2.1.8 PN结伏安特性 3. PN结的伏安特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 倍增效应 雪崩击穿 齐纳击穿 2.1.3 PN结及其单向导电性 图2.1.9 势垒电容与外加电压关系 图2.1.10 扩散电容效应 (1) 势垒电容CB (2) 扩散电容CD 2.1 PN结的基本知识 2.2.1 二极管的结构 2.2.2 二极管的伏安特性 2.2.3 二极管的主要参数 2.2.4 二极管模型 图2.2.1 半导体二极管的结构及符号 (a) 点接触型 (b) 面接触型 (c) 平面型 (d) 电路符号 (a) (b) (d) (c) 2.2 半导体二极管 图2.2.2 硅二极管的2CP10的伏安特性 图2.2.3 锗二极管2AP15的伏安特性 正向特性、反向特性 、反向击穿特性 2.2 半导体二极管 图2.2.4 温度对二极管特性曲线的影响示意图 温度对二极管特性的影响 1. 最大整流电流IF 2. 最高反向工作电压VRM 3. 反向电流IR 4. 极间电容Cd 5. 最高工作频率fM 2.2 半导体二极管 图2.2.3 锗二极管2AP15的伏安特性 表2.2.1 几种国产半导体二极管参数 （1）2AP1~7检波二极管（点接触型锗管，在电子设备中作检波和小电流整流用） ≤1 150 ≤250 ≥5.0 ≥150 100 12 2AP7 ≤1 150 ≤250 ≥2.5 ≥40 20 16 2AP1 pF MHz ?A mA V V mA 极间 电容 最高工作频率 反向电流(反向电压分别为10, 100V) 正向电流(正向电压为1V) 反向击穿电压(反向电流为400?A) 最高反向工作电压(峰值) 最大整流电流 参 数 型 号 3 ≤0.8 1000 2400, 2600, 2800, 3000 5 2CZ57 3 ≤1 1000 1200, 1400, 1600, 1800, 2000, 2200, 0.5 2CZ54 3 ≤1 1000 25, 50, 100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 0.1 2CZ52 KHz V ?A V A 最高工作频率 正向压降 (平均值) (25℃) 最高反向工作电压下的反向电流(125℃) 最高反向 工作电压(峰值) 最大整流电 流 参 数 型 号 表2.2.1 几种国产半导体二极管参数 （2）2CZ52~57