模拟电子技术基础 教学课件 作者 张志良 第1章.pptVIP

第1章 机械工业出版社同名教材 配套电子教案 * 第1章 半导体元件 1.1 PN结 1.1.1 半导体的导电特性 ⒈ 导体、半导体与绝缘体 ⑴ 导体： 电阻率ρ＜10-6Ω·m； ⑵ 绝缘体：电阻率ρ＞108Ω·m； ⑶ 半导体：电阻率介于导体与绝缘体之间 ⑴ 掺杂特性 ⑵ 热敏和光敏特性 ⒉ 半导体的导电特性 (2) N型半导体 4价元素掺入微量5价元素后形成N型半导体。 自由电子数空穴数。 4价元素掺入微量3价元素后形成P型半导体。 空穴数自由电子数。 (3) P型半导体 ⒊ P型半导体和N型半导体 ⑴ 本征半导体。 纯净的半导体材料称为本征半导体。 1.1.2 PN结 ⒈ PN结形成 ⒉ PN结单向导电性 ⑴ 加正向电压——导通。 ⑵ 加反向电压——截止。 ⒊ PN结的伏安特性 ⒋ PN结击穿特性 ⑴ 电击穿。可逆 ① 雪崩击穿。呈正温度系数 ② 齐纳击穿。呈负温度系数 击穿电压在6V左右，温度系数趋近零。 ⑵ 热击穿。不可逆。 ⒌ PN结电容效应 ⑴ 势垒电容CB ⑵ 扩散电容CD 1.2 普通二极管 1.2.1 普通二极管概述 二极管分类： ⑴ 硅二极管和锗二极管。 ⑵ 点接触和面接触。 ⑶ 普通管、整流管、稳压管和开关管等。 1.2.2 二极管的伏安特性 温度对二极管伏安特性的影响 ① 温度每升高1℃，Uon约减小2~2.5mV。 ② 温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。 1.2.3 二极管主要特性参数 ⑴ 最大整流电流IF ⑵ 最高反向工作电压URM ⑶ 反向电流IR和反向饱和电流IS ⑷ 最高工作频率fM 1.3 特殊二极管 1.3.1 稳压二极管 ⒈ 伏安特性 ⒉ 稳压工作条件 ① 电压极性反偏； ② 有合适的工作电流。 ⒊ 主要特性参数 ⑴ 稳定电压UZ。 ⑵ 稳定电流IZ。 ⑶ 最大耗散功率PZM和最大工作电流IZM。 ⑷ 动态电阻rZ。 ⑸ 电压温度系数αZ ⒋ 稳压管稳压电路 ⑴ 稳压管作用：电流调节作用 ⑵ 电阻作用：提供稳压管合适的工作电流；将稳压管电流调节作用转换为电压调节作用。 1.3.2 发光二极管 ⑴ 正向压降：大多在1.5V~2V之间 ⑵ 工作电流：几mA~几十mA 典型工作电流10mA 亮度随电流增大而增强 ⑶ 主要用途：指示灯、数码显示器。 1.3.3 光敏二极管 ⑴ 暗电流：很微小 一般为0.1?A左右 ⑵ 光电流：随光照度增加而增大 最大约几十?A ⑶ 主要用途：光的测量 光电池 制作光敏三极管和光电耦合器。 1.4 双极型三极管 1.4.1 三极管概述 ⒈ 基本结构和符号 ⑴ 按极性分：NPN型和PNP型； ⑵ 按半导体材料分：硅三极管和锗三极管； ⑶ 按结构分：平面型、合金型等； ⑷ 按用途分：放大管、开关管、功率管等； ⑸ 按工作频率分：低频管和高频管； ⑹ 按功率大小分：小功率管、中功率管和大功率管； ⒉ 分类 ⒊ 电流放大原理 电流分配关系: IE=IC+IB 1.4.2 三极管的特性曲线 ⒈ 三极管电路的三种基本组态 ⒉ 共发射极特性曲线 ⒊ 三极管共射电路工作状态 ⑴ 放大区 条件：发射结正偏，集电结反偏。 特点：iC＝βiB，iC与iB成正比关系。 ⑵ 截止区 条件：发射结反偏，集电结反偏。 特点：iB＝0，iC＝ICEO≈0 ⑶ 饱和区 条件：发射结正偏，集电结正偏。 特点：iC与iB不成比例。即iB增大，iC很少增大或不再增大，达到饱和，失去放大作用。 ⑷ 击穿区 击穿区不是三极管的工作区域。 *