集成电路(IC)压印制造用光固化刻蚀胶地研究.pdfVIP

2005年中国科协学术年会论文集 集成电路(IC)压印制造用光固化刻蚀胶的研究 段玉岗丁玉成 卢秉恒 (西安交通大学先进制造技术研究所，西安，710049) 关键词：压印 阳离子光固化刻蚀胶 压印刻蚀技术(IL—Imprint 当时光学刻蚀技术的发展尚未遇到难于克服的技术瓶颈，该技术未被广泛重视。但近年来，由于现 行光学刻蚀技术设备和IC生产线向高分辨率技术节点延伸所需的投资越来越高，而且以下一代光刻 技术NGL(NextGeneration 又重新对压印刻蚀技术寄以希望，认为IL可能成为NGL中最具价格优势的工艺技术路线¨。41。 本文介绍一种新的软压印常温成形光固化刻蚀技术。文章主要研究了压印刻蚀用光固化刻蚀胶 及压印工艺、以及刻蚀胶对压印质量的影响。 一、集成电路芯片(1C)压印刻蚀原理 基于压印光固化刻蚀技术集成电路芯片(IC)制造的工艺流程如下图所示： 石英衬底硅胶模板 压印 硅片前处理卜_——叫旋涂光固化刻蚀胶 有光固化刻蚀胶的硅片 清洗光固化刻蚀胶 单层集成电路 图1 压印光圃刻蚀法制作集成电路芯片工艺流程示意图 整个工艺过程简单叙述如下： (1)电子束直写单个芯片图形，直接刻蚀成原始母板。原始母板制作的主要功能是制备单个芯 片图形。 (2)硅橡胶微复型：将双组份硅橡胶材料在母板上均匀制膜并固化，将IC图形转移至硅橡胶 116 2005年中国科协学术年会论文集 透明软模并加衬石英，以获的必要的硬度，见图2： 图2母板特征转移至硅橡胶层 (3)压印。用匀胶机在硅片上涂光固化刻蚀胶，用带有图形的透明硅橡胶软模压印液体光固化 刻蚀胶，然后用紫外光照射，固化定型图形；工作原理如图3所示： 图3压印过程第二次图形转移示意图 (4)离子刻蚀。由于硅晶元与光固化刻蚀胶的刻蚀比不同，用等离子刻蚀在硅晶元上刻蚀出高 保真度的图形。刻蚀原理如图4所示： 图4离子刻蚀示意图 (5)清洗残留光固化刻蚀胶，得到具有集成电路的硅片。 刻蚀后图形 圈5去除刻蚀胶后的单层集成电路 针对这一全新的工艺过程，传统的光刻胶及其工艺已完全不再适用。传统的光刻胶(包括正性 胶和负性胶)均为含有挥发性溶剂的刻蚀胶，在进行光照固化或分解之前，都需要首先进行加热处 理一定的时间，以使光刻胶中溶剂挥发，然后再进行光照固化或分解处理而显影。而在微压印过程 中，传统光刻胶中挥发性溶剂的存在将会导致压印时产生两个缺陷，一是导致刻蚀胶薄层不能彻底 固化，从而影响到图形转移过程的精度：二是溶剂挥发导致大量气泡存在产生缺陷。所以传统的光 刻胶很难再适用于本研究中的工艺过程要求，因而必须针对本研究工艺开发一种全新的光固化刻蚀 胶，以保证图形转移过程的高复形精度。 117 2005年中国科协学术年会论文集 二、微压印用光固化刻蚀胶的要求 针对压印工艺的需求，刻蚀胶必须具有以下性能： (1)常温时不含挥发性溶剂，固化速度快，提高生产效率。 (2)具有极低的粘度，便于薄层涂胶施工和压印时刻蚀胶可以充满模具细小特征(特征尺寸 lOOnm以下)。 (3)具有小的收缩率，保证成型精度。 (4)刻蚀胶与底基硅具有较大的