用于Z-pinch等离子体K层辐射诊断的时空分辨椭圆弯晶谱仪.pptVIP

第13届全国等离子体科学技术会议，成都，2007年8月 用于Z-pinch等离子体K层辐射诊断的时空分辨椭圆弯晶谱仪 吴 刚，邱爱慈，吕 敏，黑东炜，盛 亮，魏福利蒯 斌，王亮平，丛培天，雷天时，韩娟娟，孙铁平 引言 Z-pinch等离子体ne：0.1~1keV，Tion：1019~1022cm-3中低Z元素负载极易电离到内(K)壳层，因强烈的特征线发射成为最有效的keV能区X射线源：在1-3keV能段，电能-X射线的转换效率η~2-5%。 系统设计 基本构成 系统设计 晶体选择 系统实物 X射线像增强器有效区域Φ40mmAu微带宽7mm，厚200nm共4条，间隔~1.5mm 物理分析：谱形和谱强度传递 狭缝成像的衰减 物理分析：谱形和谱强度传递 晶体衍射 物理分析：谱形和谱强度传递 像增强器的光电-电光转换 物理分析：谱形和谱强度传递 CCD镜头耦合 初步实验结果(Al） 无滤光片时，线谱淹没在非相干散射引起的带状图中，晶片表现得更像凹面漫反射镜，带状图与轴向分辨的等离子体图像类似。 初步实验结果(Al） 在光路中加入（15um聚乙烯+2.5um Mylar +0.42umAl）作为滤光片，900eV以下X射线基本被完全衰减，1.6~2keV处透过率也下降为20~30%。观察到锐利的Al等离子体K层谱线。 初步实验结果(Al） 提高MCP两端电压到1100V，双电子复合伴线和一些高激发态谱线变得明显。 初步实验结果(Ne） 喷Ne气实验He-α(922eV)、Ly-α(1022eV)、He-β(1073eV)，第4微带上还出现了He-γ(1s4p-1s2, 1127eV)线；Ly-β(1211eV)线超出测量范围。 结语 利用OHM和TAP晶体建立了测量范围0.5~2.9keV的时空分辨弯晶谱仪，在“强光一号”加速器喷Ne气和Al丝阵Z-pinch实验中初步测得了Ne和Al的K层辐射特征线。 下一步将从以下几个方面对谱仪做出改进： 改进光路设计，测得Ne和Al的K层辐射全部谱线； 优化吸收滤光片，抑制低能光子，提高keV能区透过率； 在衍射光束会聚点配置挡光薄膜，降低杂散光干扰； 用大动态范围的科学级CCD代替现有商业CCD； 对晶体、像增强器-CCD进行绝对标定，进而做谱线的定量分析。 请不吝指教！ * * 第13届全国等离子体科学技术会议，成都，2007年8月 “强光一号”加速器 “强光一号”加速器：负载电流I~1.5-2MA，上升时间~80ns，电储能~250kJ。正在开展喷Ne气和Al丝阵产生K层辐射实验研究，基于晶体衍射的特征线谱诊断有重要意义。 弯晶谱仪示意图：a)衍射光路；b)摄谱系统 狭缝成像-1维空间分辨(轴向) 晶体色散分光-谱分辨 门控MCP-4分幅像-时间分辨(2~5ns) 配套设备ns级触发同步机ns快门脉冲发生器kV直流高压电源真空系统(~10-4Pa)图像采集卡、计算机ms级慢同步触发器 在0.5~3keV能段OHM (2d=63.5?)KAP(2d=26.63 ?) TAP(2d=25.76 ?)Mica(2d=19.84?)PET(2d=8.742?)Quartz(2d=8.52?) 晶体参数：两片拼接L=2×45mm=90mmTAP曲率半径Rmin=73mm 谱仪腔室距等离子体源~5.5m (与一个X射线8分幅相机共用) 晶架设计 光路图 e=0.999；椭圆柱面近似为抛物柱面； 入射光束为准平行光，衍射后在焦点处会聚 摄谱范围： OHM 460~1190eV TAP 1140~2920eV 衍射角范围 MCP分幅相机斜置 晶架弧面：94×17mm晶片45mm×15mm×0.2mm两片拼接 CCD相机(商业级) 敏通MTV-1881EX黑白摄像头像元尺寸10um×10um图像阵列768×576输出灰度1~255光积分时间20ms 考虑100J、λ=12.4?(~1keV）的线辐射设谱线半宽度为0.1? (~ 10eV )等离子体柱长为2cm，辐射脉宽10ns则线辐射度Bλ=4×1011J·(s·?·sr·m)-1。δ=0.1mm，L=4730mm，l=700mm晶面上入射强度Iλ=1×107W/(?·m2)。 薄膜的衰减 真空分隔膜：2um Mylar + 0.2um Al 滤光片：8um Al；15um 聚乙烯；2.5um Mylar + 0.42um Al等 T~10%，Iλ’=1×106W/(?·m2)。 积分反射系数(TAP) 对λ=12.4?，Iλ’=1×106W/(?·m2)，取 2d=25.76 ? ( TAP)，Rθ=2×10-4radF~0.5 W/cm2。