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扫描隧道显微镜的实验研究 邵渊敏 0519054 摘要 我们分别通过剪切和法和腐蚀针尖法制作了针尖，并且分别测量了石墨和 Si 半导体的表 面形貌。结果我们成功用剪切法做出了好的针尖并测出了石墨的表面形貌。我们还通过实验 证实了现有仪器无法测出半导体的表面形貌，并提出了 STM 仪器和减振设备等的改进方案。 最后，我们通过简单模型从测向分辨率反推针尖尺寸。 关键词 扫描隧道显微学 STM 电化学腐蚀法 引言 1982 年，IBM( 国际商业机器)公司苏黎世实验室的葛·宾尼(Gerd Binnig)博士和海·罗雷尔 (Heinrich Rohrer)博士及其同事们共同研制成功了世界第一台新型的表面分析仪器——扫描 隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscope，简称 STM)。使人类第一次能够实时地观察单个 原子在物质表面的排列状态和与表面电子行为有关的物理、化学性质。 自从1983 年扫描隧道显微镜在实空间观察到 Si （111）的7*7 结构以来，各种物质的微 观结构已经被观察到，可以说这个新仪器为凝聚态物理，化学和生物学等多个学科提供了有 效的的研究手段。 理论与实验 1． 隧道效应 扫描隧道显微镜的工作原理是基于量子力学的隧道效应。 如图对于经典物理学来说，当一粒子的动能 E 低于前方势垒的高度V0 时，它不可能越过此势垒， 即透射系数等于零，粒子将完全被弹回。但是 按照量子力学的计算，粒子可以穿过比它的能量 更高的势垒，这个现象称为隧道效应。 对于这个方势垒的问题，透射系数 T 满足 2a T ≈16E (V0 −E ) e− h 2m(V0 −E ) V 2 0 由于隧道电流和透射系数成正比，所以，如果 电流和加在针尖和样品间偏压成正比，那么满足 2mΦ − *2πS0 A S I BV e h BV e− Φ* 0 b b 其中 Φ为样品和针尖的功函数，Vb 为偏压，S0 为针尖和样品间距。在真空下 A 近似为 1。 当距离减小 0.1nm ，隧道电流即增加约一个数量级。 2 ．针尖的制作与样品的制作 一般我们有三种方法：两步电化学腐蚀方法，机械成形法和剪切法。其中机械成形法由 于条件限制无法实施。 首先，我们做了电化学腐蚀法，这种直流断落法是制备钨的 STM 针尖的较好方法。如 图。整个电化学反应的方程式是： 阴极 6H O +6e− →3H (g ) +6OH − SRP −2.48V 2 2 - 2- - 阳极 W(s)+2OH +2H O→WO +H O+6e SOP =+1.05V 2 4 2 2- 0 W( s) +2 H O →WO +3 H ( g) E =−1.43V 2 4 2 我们通过搭建如右图实验仪器来实现电化学腐蚀。其中根据参考资料上说直流偏压在 4 － 12V 范围内腐蚀出的针尖宽高比和整体形状较好，而且腐蚀速率也快。在我们实验操作中用 的是交流电源。我们发现，当加的交流电大于 5A 时，NaOH 膜比较容易破，而电流太小时， 反应速率较慢，所以我们基本将电流大小定为 5A 。大约 5 分钟左右，钨丝接近断裂并开始 在重力的牵引下不断晃动和拉伸，最后断掉的针尖落到软木塞做的盛接器皿内。做好的针尖 要用去离子水和无水酒精来清洗。 我们也曾尝试了一下用剪切法来做针尖。一般来说对于铂铱合金线，其刚性较强，而且 不易被氧化，用剪