GaN基PIN紫外探测器的质子辐照效应.pdfVIP

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  • 2017-08-19 发布于安徽
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第37卷增刊 激光与红外 LASER 2007年9月 & INFRARED September,2007 立章编号:1001-5078(2(107)增刊-09574)4 GaN基PIN紫外探测器的质子辐照效应 白云,邵秀梅,陈亮,张燕,李向阳,龚海梅 (中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海2∞os3) 摘要:制备了CaN基PIN结构紫外探测器。用能量为2MeV的质子对器件依次进行注量为 5×10“cm“和2x10”cm-2的辐照。通过测量辐照前后器件的J—V曲线和光谱响应曲线,讨 论了不同注量的质子辐照对CaN基紫外探测器件性能的影响。,一y特性表明,辐照使器件的 反向暗电流增大,正向开启电流减小,并减小了器件的响应牢,使峰值响应波长向短波方向稍 有移动。为分析器件的辐照失效机理,研究了质子辐照对CaN材料的拉曼散射谱(Raman谱) 和光致发光谱(PL谱)的影响。拉曼散射谱表明,

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