金属表面半导体和半金属薄膜第一性原理研究.pdf

ii 过渡金属表面半导体和半金属薄膜的第一性原理研究 过第一性原理计算得到Ge在Ru(O001)表面的吸附能随覆盖度的变化，从中发 现(以1×、／21)Rlo．90-3Ge的模型相对来说比较稳定。模拟得到的STM和扫描 隧道谱(STS)图像和实验结果能够很好符合。 的吸附结构及其电子结构变化情况。并四苯具有很高的载流子迁移速率和良好 的发光特性，且具有很高的对称性。对该系统的研究有助于深入认识有机半导 体在金属表面的生长行为和相关电子性质。通过STM实验和DFT计算我们发现 并四苯的长轴沿着平行与垂直Ru(10io)单晶衬底的[12101晶向各有一个稳定吸 附位置，且能量差别很小，分子的吸附位置也不在衬底高对称位置。通过对其 电子结构的分析，对并四苯分子在过渡金属表面的吸附及生长行为有了更深入 的理解。理论计算的结果和实验符合的非常好。 前面两章涉及的都是不同类型的半导体材料，在第五章中我们研究了最近 刚刚发现的一种二维半金属材$斗graphene。物理学家认为，热力学涨落不允许 任何二维晶体在有限温度下存在。所以，它的发现立即震撼了凝聚态物理界，这 一二维结构的存在可能归结于graphene在纳米级别上的微观扭曲。graphene的 电子结构中最有趣的一点是其低能激发态的电子的静质量为零，属于Dirac费米 子。在纯粹的graphene中，化学势恰好穿过Dirac点。这一仅在低能情况下存在 的特殊色散关系正好模拟了量子电动力学中无静质量费米子的情况，区别只在 常的量子电动力学效应都能在graphened尸被观察到。在传统的半导体中不同的 载流子类型是通过离子注入或掺杂来实现的，]=『iJgraphene的载流子类型和浓度 却可以通过外电场进行方便的调节。正是因为有这些优点，基于Graphene的电 子器件将能在一个原子层的厚度内实现由电子和空穴区域构成的PN结，并且其 极性可以由外电场控制。graphene中极高的电子迁移率也能保证了其响应速度。 对这一新材料的性质的理解和控制打开了制作新一代电子器件大门。我们利用 体性质。在处在费米面以下的Dirac点打开了一个类似窄带隙半导体的带隙。通 过电场或吸附特定分子将可以很方便的使费米面移动到带隙中使graphene成为 认为可以通过选择不同金属衬底或缓冲层来调节它们之间的相互作用，进而有 摘 要 可能控制gr印hene的带隙宽度。 Abstract Thedissertationisdevotedtothe of andchemical studyphyrsical properties ofnovelmaterialsfromfirst the in functional principles．With progressdensity itsnumerical based calculation methods，DFT theory(DFT)and first—principles hasbecomearoutinemethodforcondensed matter theory,quantumchemistry andmaterialscience．Inthis a of dissertation，wevariety study materials，from conventional semiconductorto Oil semic