三值CM0S施密特电路的开关级和门级设计.pdfVIP

第八届多值逻辑与模糊逻辑学术会议论文，深圳，1998，12 三值CMOS施密特电路的开关级和门级设计术 沈继忠杜歆 姚茂群 (杭州大学电子工程系，杭州，310028)(杭州师范学院计算机系，杭州，310012) 【摘要】本文针对施密特电路在数字电路中的重要地位及爵前对多值CM0$施密特电路缺乏 研究的状况，提出了三值∞s施密特电路的开关级牵几摄设计．计算机模拟结果表明， 本文所设计的gg-g有理想的施密特电路功能，其中门级设计的CMOS施密特电路还可根 据需要调整回差． 关键词：三值施密特电路。O,i0S电路，多值电路． 1． 引 言 在数字电路中经常会遇到输入信号囡传输线路中电阻、电容等的存在而使其上升、下 降沿变差，信号幄度被衰减，或者受到干扰信号的叠加等现象。为了消除这些因素的影响． 往往需要对输入信号进行整形处理，而施密特电路是其中常用的一种器件¨I。 施密特电路在性能上有两个重要的特点：第一、输入信号从低电平上升时的转换电平 和从高电平下降时的转换电平不同；第二、在电路状态转换时，通过电路内部的正反馈过 程使输出信号波形的边沿变得很陡．利用这两个特点，我们不仅可以将边沿变化缓慢的信 号波形整形为边沿陡峭的矩形波，而且可以清除叠加在信号上的噪声．因此，从应用的观 点看，施密特电路对任何数字电路均是必各的。 多值逻辑电路作为二值电路的推广和深入，具有二值电路无法比拟的优点12,31。在以 电压为信号的多值电路中，若电源电压保持不变，则噪声容限将比二值电路减少．因此， 多值施密特电路更为必要．然而，迄今对多值施密特电路的设计和讨论尚很缺乏14I。本文将 研究三值CMOS施密特电路的开关级和门级设计，因为CMOS电路具有高集成度、低功 耗等特点，是应用最广泛的集成电路族之一l”。 2．三值CMOS施密特反相器的开关级设计 根据传输电压开关理论IS,6l，三值CMOS反相器的函数表达式为 牙=2+X。’#1十(o’工．x。31#0+。3x f11 由上式可得到相应的开关级电路设计，如图1所示12l。图1中，TI、T：构成阈0．5反相 器，处理输入信号0与1间的跳变；而由T3、T。构成阈1．5反相器，处理输入信号1与2间 的跳变。在阈0．5反相器及阈1．5反相器的控制下，由T，、18控制1的输出，而0及2的 输出则由T6和T。完成。 鉴于三值CMOS反相器电路存在二种检测阈(0．5，1固，因此在设计三值CMOS施密 特电路时，需分别对这二种检测闽加以控制，使它们具有独立的回差电压，也就是说需要 设计二部分控制电路，使它们控制着二个阅值的跳变。借鉴=值CMOS集成施密特电路设 计11I，我们根据图1电路设计了如图2所示的三值CMOS施密特反相器，其工作原理如下二 ·浙江省自然科学基金资助项目(NO．696042)，浙江省留学回国基金资助项目 一j3一 翌丛旦童堕里塑皇蔓塑望塑兰查垒望丝兰：坚型：!!!!：!! 可d| ‘ 图1三值CMOS反相器 图2三值CMOS施密特反相器 (1)当”篁0时，Pl、P：导通，N。、N：截止，A点输出高电平，使P6截止。b、P4导 通，M、N4截止，B点输出高电平；P5导通，N5截止，匕输出高电平，因此使N。截止． 同时Ps．截止，Ns。导通并工作在源极输出状态，因此，N。的源极电位较高，约为‰一Ph (畴。为Ns。的开启电压)，同理M的源极电位也较高。此时，输出为2。 1 (2)当K由0逐渐升高到K÷％。(相当于检测阈0．5)以后，N2导通，但由于N。 一一 d 源极电位较高，使K即使高于0．5也不会使N。立即导通。当K继续升高，直到P．、P2的 栅源电平1％I减小而使P。、P2