真空沿面闪络研究进展.docVIP

材料科学与工程学院 本科毕业设计（论文）外文资料翻译 原文名称 Development Process of Impulse Surface Flashover on Alumina Dielectrics in Vacuum 原文作者 Hiroki Kojima, Naoki Hayakawa，Tsugunari Ishida, Hitoshi Okubo， Kenji Tsuchiya 原文出版物 IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation 翻译内容页码 918~923 中文名称 真空中氧化铝电介质的脉冲沿面闪络发展过程 专 业 复合材料与工程 学 号 1105100130 2014 年 1 月 真空中氧化铝电介质的脉冲沿面闪络发展过程 摘要：为了真空断路器（VCB）更高的电绝缘性能，真空中的表面绝缘特性应提高。在本文中，我们研究了真空中氧化铝陶瓷绝缘体的脉冲沿面闪络发展机制。通过施加脉冲电压和电流波我们同步测量了静态图像和快速发展中的沿面闪络的超高速分幅图像。沿面闪络引发的光辐射跃迁也被阐明。真空条件下在沿面闪络的发展过程中我们发现在阴极周围形成了暗区并且从阳极形成了导电通道。 关键词：真空，沿面闪络，表面放电，氧化铝绝缘体，二次电子发射 1、引言 为了环保，真空断路器（VCB）和真空灭弧室（VI）都需要开发更高的电压应用[1]。为了提高真空断路器（VCB）和真空灭弧室（VI）的运行电压，有必要提高真空中的高压电气绝缘性能。尤其对固体绝缘体来说沿面闪络是VCB/ VI的电绝缘性的基本因素之一。 二次电子发射雪崩（SEEA）可以引发沿面闪络[2]。它受绝缘体的许多因素的影响，例如材料特性，表面状态和表面电荷分布[3-9]。我们已经研究了氧化铝表面的充电特性和表面充电对闪络特性的影响[10，11]。沿面闪络引发的基本特性已经得到阐明。然而，真空中沿面闪络发展过程的基本机制本身尚未被详细阐明。 在本文中，通过施加脉冲电压和电流波我们同步测量了静态图像和快速发展中的沿面闪络的超高速分幅图像。在闪络过程中专注于电流和光发射的同时我们研究了脉冲沿面闪络的表面放电发展机制。 2、实验 2.1、实验装置 图1示出了实验装置和测量系统。腔室中的真空压力设定在10-5Pa指令上。脉冲发生器产生一个负脉冲电压(-1.2/50 μs)。我们通过万能分压器测量了电压波和由高频电流互感器测量了放电电流波。放电超高速分幅图像是使用了图像增强器（I.I.）的数码相机测量的，其暴露时间由脉冲发生器利用栅极信号被控制在纳秒。每施加一个电压通过两个独立的摄像系统我们可以先后得到两幅图像。 图1 实验装置和测量系统 图2示出了电极结构。氧化铝电介质（HA-92）的尺寸为150㎜×150㎜×5㎜，平均表面粗糙度（Ra）为亚微米级。高压电极的直径为2毫米。对面的接地电极直径是20mm。这些电极是由SUS304不锈钢制成。实验前，氧化铝样品和电极用乙醇在超声波清洗器中进行清洗，并在真空干燥器中干燥超过12小时。在对面的接地电极端测量放电电流。 图3示出了该电极系统中的等电位分布。电场线几乎垂直的入射到氧化铝表面。 我们在高电压电极端施加一个负脉冲电压并产生了沿面闪络。我们测量了沿面闪络的电压和电流波，并测量了每个施加电压的两个超高速光发射图像。 图2 电极结构 2.2、实验结果 图4显示施加-28kV脉冲时沿面闪络的静态图像没有增强。在高压电极和对面的接地电极之间有沿面闪络路径并且在电极周围有强光发射。 图5示出了施加脉冲电压时的沿面闪络电压和电流波的一个例子。在电压峰值附近电流升高。注意到闪络发展过程在击穿之前存在了200-400ns，并且电流和光强度随电压下降而增加。 图4 表面闪络静态图像（-28kV） 图5 沿面闪络波 图6示出了沿面闪络的超高速分幅图像和施加电压及放电电流，即同每两个图像相对应。图6a对应于图6a-1和6a-2，图6b对应于图6b-1和6b-2，图6c分别对应图6c-1和6c-2。 图6 高