热处理制备Cr2O3-石墨插层化合物地研究.pdfVIP

第28卷增刊 材料热处理学报 V01．28 Supplement AND 2007年8月 TRANSACTION8OFM册RIAI．SHEATTRE^：n旺BNT August 2007 热处理制备Cr203一石墨插层化合物的研究 张艳1，一，刘旭光1，一，许并社比 (1．太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室，山西太原030024；2．太原理工大学材料 科学与工程学院，山西太原030024；3．太原理工大学化学化工学院，山西太原030024) 摘要：以三氧化铬(Cr03)与石墨为原料，利用真空热处理方法制备了三氧化二铬(Cr20，)石墨的插 层化合物(GICs)。运用x射线衍射(XRD)分析石墨插层化合物。结果表明：经热处理后，在1400℃时 Cr03与石墨形成了纯5阶的石墨的插层化合物。XRD分析表明，对网状层面结构的天然石墨，可以利用 物理的方