P型-100-直拉硅单晶中流动图形缺陷的探究.pdfVIP

P型100直拉硅单晶中流动图形缺陷的研究 张建峰，乔治，张红娣，张建强，郝秋艳，李养贤，刘彩池 (河北T业大学材料学院信息功能材料研究所，天津．300130) 周旗钢，王敬 (北京有色金属研究总院半导体材料股份有限公司．北京，100088) 问的密度变化，并用原子力显微镜揭示了FPDs端部结构特征，二者分析结果得到很好的吻合。结合以上观测结果分 讨论rFPDs、SEPs与COPs的关系． 引言 随着超大规模集成电路特征尺寸的降低及集成度的不断提高，硅单晶片中的原生缺陷对电路性 能的影响也日益突出”。41。故在生长过程及后期处理工艺中有效控制原生缺陷的密度与尺寸成为提高 硅片质量的关键。空洞型微缺陷是大直径直拉硅单晶中典型的原生微缺陷，是由晶体生长冷却过程 得较为困难。这些缺陷会破坏Mos电路栅极氧化物的绝缘性能，还会造成p／n鲒漏电、槽型电容短 路或绝缘失效等问题，从而大大降低集成电路的成品率。因此，大直径直拉硅单晶中原生微缺陷成 为近年来研究的热点和难点。根据不同的检测手段，原生缺陷被分别命名为晶体原生颗粒(COPs) 分析和探讨，并提出了它们的形核机制，生长模型”1。减少和消除这类空洞型微缺陷的工艺方法目 前主要有完美单晶生长技术，氮掺杂，外延技术和高温快速热处理．且研究对象主要是COPs。相比 较而言高温快速热处理是一种非常经济有效的工艺手段”’．而对于FPDs在不同温度、气氛下的退火 行为的研究只是局限于传统的退火工艺范围之内。 我们打破了用传统退火方法研究FPDs的模式，采用了高温快速热处理的退火方式，分别在N2、 N：／02(3％)、Ar三种气氛中。不同温度条件下对原生直拉单晶硅片进行了高温快速热处理，分析了不 蚀液腐蚀大直径直拉硅片，通过光学显微镜观察分析了不同腐蚀时间下FPDs的微观形貌及其宏观分 蚀液中的演变过程，利用激光颗粒记数仪对同一硅片分析了晶体原生颗粒(COPs)缺陷，讨论了FPDs、 SEPs与COPs的关系。 实验 隙氧含量为27-30opma， 电阻率为10—15Q·cm， 硅片取自单晶中上部，单晶拉速为 0．8一1．1mm／min。 1：1：5)清洗4小时， 首先将经过RCA处理之后的原生硅片，在85℃用SCl(NII-0}I：Hz(h：HzO 通过激光颗粒记数仪进行分析，得出该硅片的COPs分布数据，而后将其解理成四份。经过RCA清洗， 宏观形貌和分布，并与原生硅片中FPDs分布进行对比．最后对不同腐蚀时间的样品取样后，在原子 力显微镜下观察，实验采用AFM的轻敲模式(tapping 子力小于ixlO一啊，实验所用的微小探针是硅探针，针尖曲率半径为7—10nm，悬臂的共振频率和弹 簧系数分别在381—483kHz，26-50N／m的范围内。 结果与讨论 实验表明，同一样品中FPDs的体密度随着腐蚀时间延长而增大，且硅片中心区域相对较高。 距离顶部的区域逐次出现不同高度的台阶使其尾部变长。经过氏时间的腐蚀后，其端部会有一空洞 测试结果，与光学显微镜所得结果相同，在FPDs端部有一空洞存在。 大，即顶部逐步变大，尾部逐渐变长，并且在尾部出现了不同厚度的台阶状结构。 2．80E+06 2．65E+06 2．50E+06 2．35E+06 2．20E+06 图1同一样片不同腐蚀时间下FPDs体密度与COPs的关系 图3FPDs微观结构的原子力显微镜照片 图2腐蚀15min后光学显微镜照片(500X) 于同一原生硅片中COPs的密度，这可能是由于在硅片腐蚀过程中～些空洞结构的腐蚀速率较慢， 所产生的气流较弱不足以阻止附近区域的腐蚀形成类似FPDs的抛物线型结构，而以小腐蚀坑即 SEPs的形式出现。因此可以近似认为三者的密度关系如下：