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電性量測分析 報告者：徐國華 電性分析 某種材料或某一電子元件本體加諸電壓或通過電流時，因各種材料所具的性質相異，因此會產生不同的電氣反應，此類性質吾人均稱之為材料的電氣性質。 電性種類 a. 阻抗(Impedance)： 一個電子電路中，任何被動元件之阻抗即是跨越該 元件的電壓量除以流通其本身的電流量。 b. 電容(Capacitance)： 介電性材料在外加電場作用下，其內部會產生介電 分極(亦稱為極化)，藉此吾人利用介電特性而製作各 種的電容器元件。 電容器所儲存電荷量(Q)可由下式表示之： ? Q = CV 上式中V代表外加的電壓，C代表電容值。 電容器之電容值(C)與材料之介電常數與幾何因數 有關： ?C = kε0 εr A / t ? 上式中 k = 介電常數 ε0 = 真空的介電率 εr = 固體介質的相對介電常數 A = 極板的面積 t = 極板的間距 c.電感(Inductance)： 依據法拉第定理，當電流有變化時電感器兩端將產 生電壓，以阻止電流的變動，而電感就是每單位時 間電流的變化所產生之電壓值： V = L (di / dt) 其中L為電感，其單位為Henry (H)。 電感器的電壓與單位時間電流的變化呈線性關係如下： d. 散逸因子(Dissipation Factor；tanδ)： 散逸因子表示介電材料之介電損失的參數， 介電常數(ε‘)和散逸因子( tanδ)之乘積介 電損失因子(ε )： ε =ε tanδ 吾人利用散逸因子來計算在交流電作用下 電容器所損失的電能，且通常相對介電常 數亦將隨著環境之溫度和頻率而改變。 e. 電阻(Resistance) 考慮一直線銅導線，兩端施加一電位差(V)於銅導線 上，會出現一電流i，此電流與銅導線電阻R成比例。 根據Ohm‘s Law，電流I與外加電位V成正比，與該銅 導線的阻抗成反比： I = V / R 其中 I = 電流 (A)V = 電位差 (V) R = 電阻 (Ω) 一、PN極性量測器 半導體P-N極性分析器乃利用熱力磁場作用，以檢測待 測之矽晶元是屬於P型或N型摻雜者。 Ｐ型半導體 （１）相對於Ｎ型半導體，當在純矽中摻入三價元素的雜質，使得 每個矽原子與 三價雜質結合產生共價鍵時，便缺少一電子， 也就是多一個電洞，如此半導體稱 之為Ｐ型半導體。由於 加入三元素，半導體原子中空位增多，故稱三價元素為受體。 （２）在Ｐ型半導體中，多數載子為電洞，少數載子電子。 （３）Ｐ型半導體也因多數載子比純半導體多，以致導電率提高， 而電阻值下降。 Ｎ型半導體 （１）若純半導體中摻入五價元素，由於價電子間會互相結合形成 共價鍵，而五 價的雜質與四價的矽每形成一共價鍵便多出一 自由電子，此半導體稱之為Ｎ型半導體。由於摻入丕價元素 後電子數全增加，故五價元素稱為施體。 （２）在Ｎ型半導體中，自由電子佔大多數，故稱多數載子。相對 的，因受熱而 破壞共價鍵產生的電子電洞對是少數，所以電 洞在Ｎ型半導體中稱為少數載子。 因摻入五價雜質，自由電 子數加，以致半導體的導電率提高，而電阻值下降。 操作步驟 1. 將AC電源接於主機背面，連接110 Vac電源。 2. 連接Test Probe到主機前面的插孔。 3. 開啟電源開關，待機執行約為5分鐘的預熱時間。 4. 以Hot Probe和Cold Probe接觸，直接測試樣品。 5. 由顯示器可直接判讀待測物之摻雜形式為P型或N型。 ? 二、四點探針儀 利用探針接觸到薄膜表面的情形，通常四個探針排列在同一直線上並 利用直流電流施加在外側兩根探針，來誘發內部兩根探針之間產生電 壓。並且試片之厚度必須大於探針間距離(S)，再利用以下公式計算電 阻率： ρ = 6.28 S V / I 上式中 V ＝漂移電位， I ＝外加電流， S ＝探針間距 如果在絕緣體上鍍一導電薄層，則可改用下列公式： t =ρ/R