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《模拟电子技术基础》复习资料 一、填空题 1.杂质半导体有　　P　　型和　　N　　型之分。  2. PN结加正向电压，是指电源的正极接　P区，电源的负极接　N　区，这种接法叫　正向偏置　。  3.二极管的两端加正向电压时，有一段“死区电压”， 锗管约为0.1V　, 硅管约为　　0.5V　。  4.二极管的类型按材料分　硅二极管　　和　锗二极管　　。 5.单相半波整流电路中，利用二极管的　单向导电　　特性，可以将正弦交流电变成单方向脉动的直流电。  6.限幅电路限制了　输出　　电压的幅度，是　二极管　在起主要作用。 7.硅稳压二极管主要工作在　反向击穿 区。 8.PN结的基本特性是_单向导电性__，它是_扩散___运动与漂移运动达到动态平衡的结果。 9.二极管的正向电阻愈__小_愈好；反向电阻愈__大_愈好。 10.二极管的伏安特性与温度有无关系? 答__有__，其伏安特性方程为__ I=Is（eV/VT-1）__。 11.三极管的工作原理是用_电流___来控制电流。 12.三极管的外部工作条件是__发射结正偏__和__集电结反偏__。 13.在三极管三种基本放大电路中，放大倍数相位相差1800的电路是__共发射极放大电路__。 14.共基极放大电路主要用于__高频、宽频和恒流源电路__。 15.场效应管的工作原理是用电压来控制__电流__。 16.电压放大倍数的大小与频率有无关系? 答__有__。 17.在信号的运算放大电路中，引入了__虚短__和__虚断__两个基本概念，它们是信号运算放大的理论基础。 18.半导体可分为__ P _和__N _。 19.判断二极管质量的好坏的方法为: __正向电阻小和反向电阻大____。 20.二极管的伏安特性与温度有无关系? 答___有_，三极管的原理是用____基极电流来控制___集电极_电流。 21.三极管的工作时发射结___正偏_，集电结__反偏__。， 22.在三极管三种基本放大电路中，共发射极放大倍数相位相差_1800___，共集电极放大倍数值_小于1___。 23.共基极放大电路主要用于__高频、宽频和恒流源电路__；_共集电极放大电路___放大电路主要用于输入级、输出级和缓冲级。 24.场效应管的工作原理是电压利用__电场效应__来控制__电流__。 25.三极管的电压放大倍数用分贝作单位时，常称为_增益___。电压放大倍数的大小与频率有无关系? 答___有_。 26.集成运放电路的输入级方式其优点是__抑制零点漂移__，通常采用__差动输入__。 27.在信号的运算放大电路中，引入了__虚短，和虚断两个基本概念，它们是信号运算放大的理论基础。 28.在有正反馈的放大电路中，其闭环电压放大倍数表达式为AF=A/（1-AF）____。振荡电路中起振荡条件为___ AF﹥1_。 29.在直流电源中，通常用__二极管__来整流，用___桥式_电路方式来整流。 30.直流电流中利用____变压器，来降压，利用电容的_充放电 ___来滤波。 由于静态工作电Q位置偏高可能产生_饱和失真___失真、静态工作电Q位置偏低可能产生__截止失真__失真。 31.N型半导体中多数载流子是﹍自由电子，P型半导体中多数载流子是﹍空穴﹍﹍，PN结具有﹍单向导电﹍特性。 32.发射结﹍正向 偏置，集电结正向﹍偏置，则三极管处于饱和状态。 33.当Ugs=0时，漏源之间存在导电沟道的称为﹍﹍耗尽 型场效应管，漏源之间不存在导电沟道的称为﹍增强﹍型场效应管。 34.两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为20 dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为46dB。 35.差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V，Ui2=1.98V，则该电路的差模输入电压Uid为0.01 V，共模输入电压Uic为1.99V。 36.集成运算放大器在比例运算电路中工作在线性放大区，在比较器中工作在﹍非线性区。 37.在放大电路中为了提高输入电阻应引入串联负反馈，降低输出电阻应引入电压负反馈。 38.直流稳压电源一般由 　变压器　、　整流器　　、　滤波器　和 稳压器 组成。 39.稳压电源的主要技术指标包括　特性指标　和　质量指标　。 40.纹波电压是指　稳压电路输出端中含有交流成分量，通常用有效值或峰值表示　。 41. 串联型稳压电源中RP的作用是　取样　, R2的作用是　限流　,V3的作用是　给V2提供基准电压 。 42.串联型稳压电源输出电压调整范围表达式是　~ 　。 43. W78XX系列三端稳压器各脚功能是: ① 脚　输入　; ②脚　输出　; ③脚　公共端　。 44.占空比是指　　（闭合时间/周期）　。  45.开关电源的类型按不同的控制方式划分为