半导体器件物理 教学课件 作者 顾晓清 王广发 七.ppt

练习 P127 1 试画出理想MOS结构（N型半导体为衬底）平衡时的能带图。 P127 2，3，4，5 练习 P 127 8，9，11，12，13，14，15，16 表面耗尽 施加一个正电压（V＞0）于金属板上时，表面势为正值，表面处能带向下弯曲，如图（b）所示。 这时越接近表面，价带顶离费米能级越远，价带中空穴浓度随之降低。并且，外加正电压越大，能带向下弯曲越深；越接近表面，空穴浓度比体内低得多，表面层的负电荷基本上等于电离受主杂质浓度，这种情况称表面耗尽。半导体中每单位面积的空间电荷QSC的值为qNAW，其中W为表面耗尽区的宽度。 表面反型 施加一个更大正电压时，表面处能带进一步向下弯曲，如图（c）所示。 表面处费米能级位置高于禁带中央能级Ei，也就是说，费米能级离导带底比离价带顶更近一些，这意味着表面处性质发生根本性变化，表面电子浓度超过空穴浓度，表面导电类型由空穴型转变成电子型，这种情况称表面反型。反型层Xi发生在近表面，且厚度很薄，而紧靠其内部还夹着一层耗尽层，厚度比反型层大很多。 对于N型半导体，同样可证明： 金属电极加正电压为电子积累； 加小负电压为耗尽状态； 而负电压进一步增大时，表面空穴堆积出现反型层。 7.3 MOS结构的电容-电压特性 金属-氧化物-半导体（MOS）结构中，实际氧化物就是绝缘体，它完全类同于MIS电容，是一种特例，称MOS电容。 由于制造MOS器件必然采用这种结构，因而MOS电容成为集成电路中制造电容首选，而其寄生性同样是引起器件性能下降的原因所在。 所以，对这一结构的研究分析，从来就没有停止过。 理想MOS电容 金属-半导体功函数差为零； 氧化层及界面电荷为零； 界面态为零； 半导体体内电阻为零； 氧化层完全不导电。 能带应是平的； 半导体表面处ΨS=0。 电压分布 VG一部分降落在氧化层中，另一部分降落在半导体表面（空间电荷区，而体内电压降为零）。 把MOS电容看作为一个平行板电容器，并且由上面电压关系得知，MOS电容实际就是由一个氧化层电容和一个半导体中空间电荷区电容的串联结构组成的。 氧化层单位面积电容 Xox 氧化层厚度； ε0 真空介电常数； εOX 氧化层相对介电系数。 式（7-2） 半导体微分电容 W 耗尽层宽度； εS 半导体相对介电常数 理想MOS结构总电容 （100）硅，掺杂ND=9.1×1014/cm3 Xox=0.119μm， 高频（1MHz）和低频（准静态） 条件下实际测得C-V特性曲线。 分情况讨论略。 理想MOS的C-V特性曲线 实际MOS的 C-V特性曲线 1）氧化层内正电荷对C-V特性的影响 氧化层内正电荷（QSS）的作用，可以看作在没有外加电压（VG=0）时，相当于施加了一个正电压，如果要消除它的影响，则应当在栅上施加一个负电压（-VFB）来抵消，使弯曲的能带重新变为平带，平带时的电容称平带电容，用CFB表示，如图所示。 图中可见，正电荷总是使C-V曲线产生左移影响。 正电荷引起C-V曲线移动（左图P型衬底，右图N型衬底） 2）金属-半导体功函数的影响 真空能级和费米能级之间的能量差称为材料的功函数（Φ）。不同材料，具有不同功函数，因而MOS结构的两个电极（金属、半导体）就会存在功函数差（ΦMS） 。由于铝功函数小于半导体，不管是N型还是P型半导体，功函数差ΦMS都是负值；而一般铝和N型半导体的ΦMS总比与P型半导体的ΦMS来得小。 ΦMS使C-V曲线产生左移影响 目前更多是用高掺杂的多晶硅（polysilicon）来代替铝制作栅极，N+多晶硅效果与铝作用一致，但实际功函数差略大于铝。P+多晶硅代替铝，造成功函数差却是正的，对于N型衬底的作用是极为有利的。 3）掺杂浓度、氧化层厚度、温度对C-V特性影响 掺杂浓度提高，高频反型电容会大大增加，耗尽偏置区将大大展宽。曲线上表现为电容下降的耗尽范围从1V左右扩展到2V以上，反型区域最小电容值按（倍/数量级）增加，呈底部抬高之势。而无曲线平移，且积累区电容固定，各掺杂浓度重叠一致。如图所示为不同P型掺杂浓度对MOS电容高频C-V特性影响。 温度对C-V特性影响如图所示，它对反型偏置电容有中等敏感度，其他区域则基本上不随温度变化。 氧化层厚度增加也会使耗尽偏置区展宽，并使高频反型电容升高，形式与掺杂一致，主要由于展厚氧化层将分担更大比例电压所致。 *